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2021.10.14
レ デゥック アイン助教(総合研究機構、電気系)、高瀬健吾氏(研究当時電気系工学専攻修士2年)、瀧口耕介氏(博士3年)、田中雅明教授(電気系、スピンセンター)のグループは、福島工業高等専門学校の千葉裕講師、小田洋平准教授との共同研究で、世界最高品質のアルファ-スズ(α-Sn)薄膜をIII-V族化合物半導体インジウムアンチモン(InSb)(001)基板上に結晶成長(エピタキシャル成長)させることに成功し、α-Sn薄膜様々な量子伝導現象とトポロジカル物性を初めて明らかにしました。
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2021.07.07
レ デゥック アイン助教、小林正起准教授、吉田博上席研究員、田中雅明教授は、岩佐義宏教授、福島鉄也特任准教授、新屋ひかり助教らとの共同研究で、磁性 元素を配列した強磁性超格子構造を作製し、巨大磁気抵抗を実現、究極の原子層 結晶成長法を駆使したスピントロニクス機能の実現可能性を示しました。
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2021.05.28
矢谷研究室の篠田和宏さん、小関研究室の佐野由季さん、品川研究室の安斉周さん(学部4年次、坂井・入江研所属)が学部4年次に取り組んだ研究において未踏スーパークリエータに認定されました。