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竹内研究室がSymposium on VLSI Circuitsで発表した3次元積層SSD（ソリッド・ステート・ドライブ）がメディアで報道されました。

ナノ物理・デバイスラボ　田中・大矢研究室の研究成果「強磁性半導体GaMnAsにおいてフェルミ準位の位置とバンド構造を解明」が英国科学誌ネイチャー・フィジックスに掲載され [S. Ohya, K. Takata, and M. Tanaka, Nature Physics 7,pp.342-347 (2011)]、Nature Physics誌のnews & viewsで取り上げられました。

竹内研究室がISSCC（International Solid-State Circuits Conference）で発表した高信頼SSD（ソリッド・ステート・ドライブ）がメディアで報道されました。

ナノ物理・デバイスラボ　田中・大矢研究室の研究成果「強磁性半導体GaMnAsにおいてフェルミ準位の位置とバンド構造を解明」が、英国科学誌ネイチャー・フィジックス（2011年2月6日電子版）に掲載されたほか、さまざまなメディアで報道されました。

竹内研究室のReRAM開発プロジェクトが日経エレクトロニクス2月7日号に取り上げられました。

竹内健准教授が1月5日の朝日新聞で紹介されました。

苗村健准教授が小学館DIME誌「2011年，必ずブレークする注目の100人」に選ばれました。

大津研究室の研究に関する記事が日経産業新聞（2009年12月10日）に掲載されました。

竹内研究室が開発したReRAMを使ったSSDの記事が日経エレクトロニクス2010年10月18日号に掲載されました。

10/18(月)武田先端知ビルスーパークリーンルームが、NHK教育テレビ「テストの花道」「キャンパスツアー これが東大だ!」で放映されました。

竹内研究室が参画するNEDO「高速不揮発性メモリ開発」プロジェクトが日本経済新聞・産経新聞などのメディアに取り上げられました。

竹内研究室が開発した誤り訂正符号（ECC)技術が日経エレクトロニクスTech-Onに取り上げられました。「ReRAMバッファを備えるSSD向けのECC技術，東京大学が開発」

竹内研究室が開発したフラッシュメモリが科学雑誌・ニュートン8月号に取り上げられました。

「東大グリーンICTプロジェクト」が日経ビジネスONLINEで紹介されました。

ナノ物理・デバイスラボの加藤准教授が7月26日の日本経済新聞のコラム「ニッポンの科学技術力」で紹介されました。

ナノ物理・デバイスラボの加藤研究室が単層カーボンナノチューブの励起子拡散長の計測に成功し、この研究成果が米国物理学会誌Physical Review Lettersに掲載されました。

ナノ物理・デバイスラボ　田中・大矢研究室の研究成果が米国物理学会論文誌フィジカル・レビュー・レターズに掲載されました。

ナノ物理・デバイスラボ　田中・大矢研究室の研究成果が英国科学誌ネイチャー・ナノテクノロジーに掲載されました。

ナノ物理・デバイスラボ　田中・大矢研究室の「金属ナノ微粒子で１０マイクロ秒と世界最長のスピン緩和時間を観測した研究成果」がさまざまなメディアで報道されました。

竹内研究室がVLSIシンポジウムで発表した極低電力SRAMの論文が、日経エレクトロニクス・日本経済新聞などのメディアに取り上げられました。