EEIC 東京大学工学部 電子情報工学科・電気電子工学科
ナノ物理デバイスラボ 大矢忍准教授、小林正起准教授、Pham Nam Hai客員大講座准教授、田中雅明教授らの研究成果(日本原子力研究開発機構、東京大学理学系研究科などとの共同研究)が、米国応用物理学誌「Journal of Applied Physics」電子版に12月4日(日本時間)に掲載され、掲載号の表紙を飾るとともにFeatured Article(注目論文)として解説記事と併せて公開されました。
メディア掲載
2020.12.04

ナノ物理デバイスラボ 大矢忍准教授、小林正起准教授、Pham Nam Hai客員大講座准教授、田中雅明教授らは、日本原子力研究開発機構物質科学研究センターの竹田幸治研究主幹、東京大学大学院理学系研究科の藤森淳教授(現:名誉教授)、京都産業大学、東京工業大学との共同研究で、強磁性半導体(Ga,Mn)Asが常磁性状態から強磁性状態に変化していく過程を詳細に観察することにより、原子レベルでの強磁性発現メカニズムを明らかにすることに成功しました。
この研究成果は、米国応用物理学誌「Journal of Applied Physics」電子版に12月4日(日本時間)に掲載され、掲載号の表紙を飾るとともにFeatured Article(注目論文)として解説記事と併せて公開されました。
<論文>
Yukiharu Takeda, Shinobu Ohya, Pham Nam Hai, Masaki Kobayashi, Yuji Saitoh, Hiroshi Yamagami, Masaaki Tanaka, and Atsushi Fujimori
"Direct observation of the magnetic ordering process in the ferromagnetic semiconductor Ga1-xMnxAs via soft x-ray magnetic circular dichroism"
J. Appl. Phys. 128, pp.213902/1-11 (2020).
https://doi.org/10.1063/5.0031605

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