2023年6月15日から6月17日に山形で行われました第15回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会において，
前田拓也助教が招待講演を行い、研究奨励賞を受賞されました。

＜受賞した賞の名称と簡単な説明＞

研究奨励賞
「研究奨励賞」の表彰は,結晶成長及び関連の研究の発展に貢献する優秀な論文を発表した若手研究者に対して授与し,その功績を称えることを目的とされています．

＜受賞された研究・活動について＞

発表題目: “パワーデバイス応用に向けたGaNの高電界物性評価"

＜今後の抱負・感想＞

この度はこのような大変栄誉ある賞をいただき誠に光栄に思います．本賞の受賞対象となった研究は，京都大学 木本恒暢教授，名古屋大学 須田淳教授，堀田昌宏准教授のご指導のもと，博士論文研究として実施したものを含みます．ご指導いただきました先生方，共同研究者の皆様にこの場をお借りして心より御礼申し上げます．これを励みに，ワイドギャップ半導体の特有の物性解明や新規デバイス提案・実証を目指し，今後も研究に邁進していきます．