竹内研究室が開発した強誘電体NANDフラッシュメモリ及び、誤り訂正技術が日経エレクトロニクスTech-Onで紹介されました。
メディア掲載
2010.05.20
竹内研究室が開発した強誘電体NANDフラッシュメモリ及び、誤り訂正技術が日経エレクトロニクスTech-Onで紹介されました。
Department of Electrical and Electronic Engineering, Department of Information and Communication Engineering, The University of Tokyo