電気系工学専攻M1の若本裕介さんが、第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会において、発表奨励賞を受賞しました。

<受賞した賞の名称と簡単な説明>

第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 発表奨励賞は、ナノエピ分科会の講演会において、結晶成長及び関連の研究の発展に貢献する優秀な論文を発表した若手会員に対して授与し、その功績を称えることを目的とする賞です。

<受賞された研究・活動について>

電気系工学専攻M1の若本裕介さんが、2024年5月30日-6月1日に高知県立県民文化ホールで行われた第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会において、「AlGaN/GaN ヘテロ接合における二次元電子ガスのドリフト速度の高温特性」という題で発表し、発表奨励賞を受賞しました。本研究は、前田研究室で実施した卒業研究を発展させた成果です。

<受賞された研究・活動について>

ワイドバンドギャップ半導体の窒化ガリウム（GaN）を用いたトランジスタであるGaN HEMTは、GaN特有の物性を生かし小型充電器や携帯基地局のパワーアンプなどに使用されています。本研究では、その電子チャネルにおけるドリフト速度の電界依存性を室温から300℃の温度範囲にて精密に調べ、高温特性の評価に成功いたしました。本研究の成果は、GaN HEMTの高温環境下における素子特性を理解するうえで重要な知見となると考えています。

<今後の抱負・感想>

この度は名誉ある賞を頂き、非常に光栄に思います。研究の遂行にあたり、前田先生や研究室メンバー、そして共同研究者の方々に大変ご協力していただきました。皆様に感謝いたします。これからも一層研究に励んでまいります。

ナノエピ学会HP: https://sites.google.com/view/nanoepi/event?authuser=0
前田研究室HP: https://sites.google.com/g.ecc.u-tokyo.ac.jp/maeda-lab/home