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レデゥックアイン助教(総合、電気系)、高瀬健吾氏(研究当時電気系工学専攻 修士2年)、瀧口耕介氏(博士3年)、田中雅明教授(電気系工学専攻、スピンセンター)らのトポロジカル・ディラック半金属α-Snに関する論文がAdvanced Materials誌に出版され、Frontispieceに選ばれて、表紙を飾りました。
2021.12.22

レデゥックアイン助教(総合、電気系)、高瀬健吾氏(研究当時電気系工学専攻 修士2年)、瀧口耕介氏(博士3年)、田中雅明教授(電気系工学専攻、スピンセンター)らのトポロジカル・ディラック半金属α-Snに関する論文がAdvanced Materials誌に出版され、Frontispieceに選ばれて、表紙を飾りました。
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202170404

Le Duc Anh, Kengo Takase, Takahiro Chiba, Yohei Kota, Kosuke Takiguchi, and Masaaki Tanaka
“Elemental Topological Dirac Semimetal α-Sn with High Quantum Mobility”
Advanced Materials 33, pp.2104645/1-9 (2021).
https://doi.org/10.1002/adma.202104645

Le Duc Anh, Masaaki Tanaka, and co-workers report the epitaxial growth of elemental topological Dirac semimetal α-Sn with the highest quality thus far. The very high quantum mobilities in these samples allow a quantitative characterization of the nontrivial interfacial and bulk band structure of α-Sn via quantum transport in combination with first-principles calculations. The results establish α-Sn as an excellent model system to study novel topological phases and device applications.

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