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レ デゥック アイン助教(総合研究機構、電気系)、高瀬健吾氏(研究当時電気系工学専攻修士2年)、瀧口耕介氏(博士3年)、田中雅明教授(電気系、スピンセンター)のグループは、福島工業高等専門学校の千葉裕講師、小田洋平准教授との共同研究で、世界最高品質のアルファ-スズ(α-Sn)薄膜をIII-V族化合物半導体インジウムアンチモン(InSb)(001)基板上に結晶成長(エピタキシャル成長)させることに成功し、α-Sn薄膜様々な量子伝導現象とトポロジカル物性を初めて明らかにしました。
2021.10.14

レ デゥック アイン助教(総合研究機構、電気系)、高瀬健吾氏(研究当時電気系工学専攻修士2年)、瀧口耕介氏(博士3年)、田中雅明教授(電気系、スピンセンター)のグループは、福島工業高等専門学校の千葉裕講師、小田洋平准教授との共同研究で、世界最高品質のアルファ-スズ(α-Sn)薄膜をIII-V族化合物半導体インジウムアンチモン(InSb)(001)基板上に結晶成長(エピタキシャル成長)させることに成功し、α-Sn薄膜様々な量子伝導現象とトポロジカル物性を初めて明らかにしました。この研究成果は、新しいトポロジカル電子材料と量子デバイス技術のプラットフォームの形成に道を開くものと期待されます。この研究成果はAdvanced Materials (10月14日オンライン版)にて発表されました。
<論文>
Le Duc Anh, Kengo Takase, Takahiro Chiba, Yohei Kota, Kosuke Takiguchi, and Masaaki Tanaka
“Elemental Topological Dirac Semimetal α-Sn with High Quantum Mobility”
DOI:10.1002/adma.202104645
https://doi.org/10.1002/adma.202104645

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