竹内研究室の強誘電体NANDフラッシュメモリ(Fe-NAND)の研究が日経エレクトロニクス2009年4月20日号に掲載されました。
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2009.04.18
竹内研究室の強誘電体NANDフラッシュメモリ(Fe-NAND)の研究が日経エレクトロニクス2009年4月20日号に掲載されました。
「どう付き合うかSSD：制御LSI、OS、メモリ総力を結集して信頼性向上へ」
Department of Electrical and Electronic Engineering, Department of Information and Communication Engineering, The University of Tokyo
For those aiming for EEIC
Department of Electrical Engineering and Information SystemsGraduate School of Information Science and Technology
Department of Information and Communication EngineeringGraduate School of Frontier Sciences
Department of Advanced EnergyThe Interfaculty Initiative in Information Studies/Graduate School of Interdisciplinary Information Studies
