ナノ物理・デバイスラボ　田中・大矢研究室の研究成果が米国物理学会論文誌フィジカル・レビュー・レターズに掲載されました。共鳴トンネル効果と強磁性トンネル効果という２つの量子力学的効果を用いて、強磁性半導体GaMnAsのバンド構造とフェルミ準位の位置を明らかにした研究成果です。