竹内研究室の修士1年の田中丸周平がIEEE EDS Japan Chapter Student Awardを受賞しました。
「A 0.5V Operation, 32% Lower Active Power, 42% Lower Leakage Current, Ferroelectric 6T-SRAM with VTH Self-Adjusting Function for 60% Larger Static Noise Margin」
http://www.ieee-jp.org/japancouncil/chapter/ED-15/ed15_award.htm