高木・竹中研究室の修士課程2年森井清仁君が、IEEE EDS Japan Chapter Student Awardを受賞しました。
論文・受賞
2010.02.12
高木・竹中研究室の修士課程2年森井清仁君が、IEEE EDS Japan Chapter Student Awardを受賞しました。
「High Performance GeO2/Ge nMOSFETs with Source/Drain Junctions Formed by Gas Phase Doping」
Department of Electrical and Electronic Engineering, Department of Information and Communication Engineering, The University of Tokyo