竹内研究室が開発した極低電力SRAM技術が日経エレクトロニクスTech-Onで紹介されました。
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2009.12.09
竹内研究室が開発した極低電力SRAM技術が日経エレクトロニクスTech-Onで紹介されました。
「0.5Vで動作するSRAM，東京大学らが強誘電体FETで実現」
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20091207/178376/?ST=lsi
Department of Electrical and Electronic Engineering, Department of Information and Communication Engineering, The University of Tokyo
For those aiming for EEIC
Department of Electrical Engineering and Information SystemsGraduate School of Information Science and Technology
Department of Information and Communication EngineeringGraduate School of Frontier Sciences
Department of Advanced EnergyThe Interfaculty Initiative in Information Studies/Graduate School of Interdisciplinary Information Studies
