東京大学工学系研究科電気系工学専攻 中野・種村研究室

論文リスト 2009(2009.4.1〜2010.3.31)/H21

研究論文/Journal Papers

  1. Yunpeng Wang, Haizheng Song, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Yukihiro Shimogaki: Kinetic analysis of InAsP by metalorganic vapor phase epitaxy selective area growth technique, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 48, no. 4, pp. 041102-1-5, April 20 (2009).
  2. Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: Selective area metal-organic vapor-phase epitaxy of InN, GaN and InGaN covering whole composition range, Journal of Crystal Growth, vol. 311, Issue 10, pp. 2809-2812, May 1 (2009).
  3. Yuki Tomita, Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: Role of vapor-phase diffusion in selective-area MOVPE of InGaN/GaN MQWs, Journal of Crystal Growth, vol. 311, Issue 10, pp. 2813-2816, May 1 (2009).
  4. Masakazu Sugiyama, Tomonari Shioda, Yuki Tomita, Takahisa Yamamoto, Yuichi Ikuhara, and Yoshiaki Nakano: Optical and structural characterization of InGaN/GaN multiple quantum wells by epitaxial lateral overgrowth, Materials Transactions, vol. 50, no. 5, pp. 1085-1090, May (2009).
  5. Jung-Seung Yang, Hassanet Sodabanlu, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Yukihiro Shimogaki: Fabrication of abrupt AlN/GaN multi quantum wells by low temperature metal organic vapor phase epitaxy, Applied Physics Express, vol. 2, no. 5, pp. 051004-1-3, May 15 (2009).
  6. Takuo Tanemura, Koji Takeda, and Yoshiaki Nakano: Wavelength-multiplexed optical packet switching using InP phased-array switch, OSA Optics Express, vol. 17, no. 11, pp. 9454-9459, May 21(2009).
  7. Koen Huybrechts, Takuo Tamemura, Yoshiaki Nakano, Roel Baets, and Geert Morthier: 40-Gb/s all-optical packet switching with a distributed feedback laser as all-optical flip-flop, IEEE Photonics Technology Letters, vol. 21, no. 11, pp. 703-705, June 1 (2009).
  8. Koji Takeda, Mitsuru Takenaka, Takuo Tanemua, and Yoshiaki Nakano: Experimental study on wavelength tunability of all-optical flip-flop based on multimode interference bistable laser diode, IEEE Photonics Journal, vol. 1, no. 1, pp. 40-47, June (2009).
  9. Hassanet Sodabanlu, Jung-Seung Yang, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: Intersubband transition at 1.52 μm in GaN/AlN multiple quantum wells grown by metal organic vapor phase epitaxy, Applied Physics Express, vol. 2, no. 6, pp. 061002-1-3, June 5 (2009).
  10. Tomohiro Amemiya, Takuo Tanemura, and Yoshiaki Nakano: Nonreciprocal polarization converter consisting of asymmetric waveguide with magnetooptic cladding: theory and simulation, IEEE Journal of Quantum Electronics, vol. 45, no. 7, pp. 769-776, July (2009).
  11. Ibrahim Murat Soganci, Takuo Tanemura, and Yoshiaki Nakano: Integrated 1x8 optical phased-array switch with low polarization sensitivity for broadband optical packet switching, IEEE Photonics Journal, vol. 1, no. 2, pp. 80-87, August (2009).
  12. Abdullah Al Amin, Kohsuke Nishimura, Katsuhiro Shimizu, Mitsuru Takenaka, Takuo Tanemura, Hiroshi Onaka, Tatsuo Hatta, Akihiko Kasukawa, Shinji Tsuji, Yuki Kondo, Yutaka Urino, Hisato Uetsuka, and Yoshiaki Nakano: Development of an optical burst switching node testbed and demonstration of multibit rate optical burst forwarding, IEEE/OSA Journal of Lightwave Technology, vol. 27, no. 16, pp. 3466-3475, August 15 (2009).
  13. Hong-Liang Lu, Yuki Terada, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano, and Masakazu Sugiyama: In situ passivation of InP surface using H2S during metal organic vapor phase epitaxy, Applied Physics Letters, vol. 95, no. 15, pp. 152103-1-3, October 13 (2009).
  14. Hassanet Sodabanlu, Jung-Seung Yang, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: Strain effects on the intersubband transitions in GaN/AlN multiple quantum wells grown by low-temperature metal organic vapor phase epitaxy with AlGaN interlayer, Applied Physics Letters, vol. 95, no. 16, pp. 161908-1-3, October 22 (2009).
  15. Jung-Seung Yang, Hassanet Sodabanlu, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Yukihiro Shimogaki: Blueshift of intersubband transition wavelength in AlN/GaN multiple quantum wells by low temperature metal organic vapor phase epitaxy using pulse injection method, Applied Physics Letters, vol. 95, no. 16, pp. 162111-1-3, October 23 (2009).
  16. Mitsuru Takenaka, Masafumi Yokoyama, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Shinichi Takagi: InGaAsP photonic wire based ultrasmall arrayed waveguide grating multiplexer on Si wafer, Applied Physics Express, vol. 2, no. 12, pp. 122201-1-3, November 27 (2009).
  17. Norio Iizuka, Haruhiko Yoshida, Nobuto Managaki, Toshimasa Shimizu, Sodabanlu Hassanet, Chiyasit Cumtornkittikul, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano: Integration of GaN/AlN all-optical switch with SiN/AlN waveguide utilizing spot-size conversion, OSA Optics Express, vol. 17, no. 25, pp. 23247-23253, December 7 (2009).
  18. Ibrahim Murat Soganci, Takuo Tanemura, Kevin A. Williams, Nicola Calabretta, Tjibbe de Vries, E. Smalbrugge, Meint K. Smit, Harm J. S. Dorren, and Yoshiaki Nakano: Monolithically integrated InP 1x16 optical switch with wavelength-insensitive operation, IEEE Photonics Technology Letters, vol. 22, no. 3, pp. 143-145, February 1 (2010).

国際会議論文/ International Conferences

  1. Momoko Deura, Takuya Hoshii, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi, Yoshiaki Nakano, and Masakazu Sugiyama:Uniform InGaAs micro-discs on Si by micro-channel selective-area MOVPE, Conference Proceedings CD, 21st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM '09), MA2.2, pp. 48-51, Newport Beach, California, May 10 (2009).
  2. Mitsuru Takenaka, Koji Takeda, Takuya Hoshii, Takuo Tanemura, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Shinichi Takagi: Source/drain formation by using epitaxial regrowth of n+InP for III-V NMOSFETs, Conference Proceedings CD, 21st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM '09), TuA1.5, pp. 111-114, Newport Beach, California, May 11 (2009).
  3. Ling-Han Li, Ryo Takigawa, Akio Higo, Masanori Kubota, Eiji Higurashi, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano: Semiconductive properties of heterointegration of InP/InGaAs on high doped silicon wire waveguide for silicon hybrid laser, Conference Proceedings CD, 21st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM '09), WB1.6, pp. 230-233, Newport Beach, California, May 13 (2009).
  4. Masakazu Sugiyama, Yunpeng Wang, Momoko Deura, Ryusuke Onitsuka, and Yoshiaki Nakano: In-situ growth monitoring of strain-balanced quantum-well solar cells by metal-organic vapor phase epitaxy, The 34th IEEE Photovoltaic Specialist Conference, BK3-373, Philadelphia, Pennsylvania, June 10 (2009).
  5. Yuki Terada, Momoko Deura, Yukihiro Shimogaki, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano: Suppression of GaAs (001) surface oxidation by in-situ H2S treatment and aluminum termination with MOVPE, Extended Abstracts of the 28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), E-9 pp. 141-144, Biwako, Shiga, July 9 (2009).
  6. Yuki Terada, Momoko Deura, Yukihiro Shimogaki, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano: Suppression of GaAs (001) surface oxidation by in-situ H2S treatment and aluminum termination with MOVPE, Extended Abstracts of the 28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), E-9 pp. 141-144, Biwako, Shiga, July 9 (2009).
  7. Momoko Deura, Yoshiyuki Kondo, Takuya Hoshii, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi, Yoshiaki Nakano, and Masakazu Sugiyama: Improvement in uniformity of InGaAs micro-discs on Si using multi-step growth in micro-channel selective-area MOVPE, Extended Abstracts of the 28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), E-2, pp. 123-126, Biwako, Shiga, July 9 (2009).
  8. Masakazu Sugiyama, Yunpeng Wang, Momoko Deura, Ryusuke Onitsuka, and Yoshiaki Nakano: MOVPE growth of strain-balanced InGaAs/GaAsP quantum wells with in-situ monitoring for high-efficiency solar cells, Extended Abstracts of the 28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), L-4 pp. 317-320, Biwako, Shiga, July 10 (2009).
  9. Ryusuke Onitsuka, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano: High material efficiency MOVPE growth with in-situ monitoring, Extended Abstracts of the 28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), L-3 pp. 315-316, Biwako, Shiga, July 10 (2009).
  10. Mamoru Takagi, Hideaki Imaizumi, Takuo Tanemura, Shinji Iio, Masayuki Suehiro,Yoshiaki Nakano, and Hiroyuki Morikawa: 200Gb/s multi-wavelength optical packet switching with 2ns ultra-fast optical switch, Technical Digest CD, 14th Optoelectronics and Communications Conference (OECC 2009), WB5, Hong Kong, China, July 15 (2009).
  11. Hideaki Imaizumi, Katsuya Watabe, Takuo Tanemura, Yoshiaki Nakano, and Hiroyuki Morikawa: 280Gb/s hybrid optical switching demonstration combining circuit and multi-wavlength packet, Technical Digest CD, 14th Optoelectronics and Communications Conference (OECC 2009), WB2, Hong Kong, China, July 15 (2009).
  12. Li Hui, Hideaki Imaizumi, Takuo Tanemura, Yoshiaki Nakano, and Hiroyuki Morikawa: Experimental study on dynamic range of SOA switch for multi-wavelength optical packet switching, Conference Proceedings CD, International Conference on Photonics in Switching (PS 2009), WeI3-7, pp. 1-2, Pisa, Italy, September 6 (2009).
  13. Ibrahim Murat Soganci, Takuo Tanemura, Kevin A. Williams, Nicola Calabretta, Tjibbe de Vries, E. Smalbrugge, Meint K. Smit, Harm J. S. Dorren, and Yoshiaki Nakano: Integrated phased-array 1x16 photonic switch for WDM optical packet switching application, Conference Proceedings CD, International Conference on Photonics in Switching (PS 2009), WeI3-2, pp. 1-2, Pisa, Italy, September 16 (2009).
  14. Koen Huybrechts, A. Ali, Takuo Tanemura, Yoshiaki Nakano, and Geert Morthier: Numerical and experimental study of the switching times and energies of DFB-laser based all-optical flip-flops, Conference Proceedings CD, International Conference on Photonics in Switching (PS 2009), WeI2-6, pp. 1-2, Pisa, Italy, September 16 (2009).
  15. Koji Takeda, Mitsuru Takenaka, Takuo Tanemura, and Yoshiaki Nakano: Design and fabrication of Mach-Zehnder interferometer bistable laser diode all-optical flip-flop, Conference Proceedings CD, International Conference on Photonics in Switching (PS 2009), WeI2-4, pp. 1-2, Pisa, Italy, September 16 (2009).
  16. Koji Takeda, Mitsuru Takenaka, Takuo Tanemura, and Yoshiaki Nakano: All-optical flip-flop based on Mach-Zehnder interferometer bistable laser diode, Proceedings CD, 35th European Conference on Optical Communications (ECOC 2009), 1.2.5, pp. 1-2, Vienna, Austria, September 21 (2009).
  17. Ibrahim Murat Soganci, Takuo Tanemura, Kevin Williams, Nicola Calabretta, Tjibbe de Vries, Barry Smalbrugge, Meint Smit, Harm Dorren, and Yoshiaki Nakano: High-speed 1x16 optical switch monolithically integrated on InP, Proceedings CD, 35th European Conference on Optical Communications (ECOC 2009), 1.2.1, pp. 1-2, Vienna, Austria, September 21 (2009).
  18. Yuki Terada, Momoko Deura, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano, and Masakazu Sugiyama: Metalorganic vapor phase epitaxy of GaAs with AlP surface passivation layer for improved MOS characteristics, Extended Abstracts of the International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009), J-2-5, pp. 252-253, Sendai, Japan, October 7 (2009).
  19. Takuo Tanemura, Tomohiro Amemiya, Koji Takeda, Akio Higo, and Yoshiaki Nakano: Simple and compact InP polarization converter for polarization-multiplexed photonic integrated circuits, Conference Proceedings, IEEE Photonics Society Annual Meeting, WF4, pp. 436-437, Antalya, Turkey, October 7 (2009).
  20. Koji Takeda, Mitsuru Takenaka, Takuo Tanemua, Masaru Zaitsu, and Yoshiaki Nakano:Wide wavelength operation of all-optical flip-flop using Mach-Zehnder interferometer bistable laser diode, Conference Proceedings, IEEE Photonics Society Annual Meeting, WV5, pp. 585-586, Antalya, Turkey, October 7 (2009).
  21. H. Imaizumi, H. Li, K. Watabe, T. Tanemura, Y. Nakano, and H. Morikawa, "HOTARU: a novel concept of hybrid optical network architecture combining multi-wavelength packet and circuit switching," 15th Asia-Pacific Conference on Communications (APCC'09), Shanghai, China, October 9 (2009).
  22. Masakazu Sugiyama, Wen Yu, Yunpeng Wang, Ryusuke Onitsuka, Momoko Deura, and Yoshiaki Nakano: III-V coupled quantum well solar cells: predicted performances and growth challenges, Extended Abstracts of the International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009), H-8-5, pp. 1262-1263, Sendai, Japan, October 9 (2009).
  23. Hassanet Sodabanlu, Jung-Seung Yang, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: Improvement of 1.5-¨m-range intersubband transitions in MOVPE grown GaN/AlN MQWs by AlGaN interlayer, Abstract Book, 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8), MP93, pp. 279-280, Jeju, Korea, October 19 (2009).
  24. Jung-Seung Yang, Hassanet Sodabanlu, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Yukihiro Shimogaki: Blue-shift of intersubband absorption wavelength by low temperature metal organic vapor phase epitaxy of AlN/GaN multi quantum wells by pulse injection method, Abstract Book, 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8), TP108, pp. 764-765, Jeju, Korea, October 20 (2009).
  25. Masakazu Sugiyama, Satoshi Yasukochi, Tomonari Shioda, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: Examination of intermediate species in GaN MOVPE by selective-area growth, Abstract Book, 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8), TP41, pp. 630-631, Jeju, Korea, October 20 (2009).
  26. Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: Monolithically integrated muti-color light emitting diode fabrication by wide-stripe selective area metal-organic vapor phase epitaxy, Abstract Book, 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8), ThP97, pp. 1273-1274, Jeju, Korea, October 22 (2009).
  27. Nicola Calabretta, Ibrahim Murat Soganci, Takuo Tanemura, Wenrui Wang, Oded Raz, Kazuhide Higuchi, Kevin A. Williams, Tjibbe de Vries, Yoshiaki Nakano, and Harm J. S. Dorren: Optical packet switch sub-system with label processing and monolithically integrated InP optical switch, Technical Digest CD, IEEE Photonics Society Winter Topicals 2010 “Photonics for Routing and Interconnects”, TuC3.4, pp. 107-108, Majorca, Spain, January 12, (2010).
  28. Hui Li, Hideaki Imaizumi, Takuo Tanemura, Yoshiaki Nakano, and Hiroyuki Morikawa: Demonstration of hybrid optical ring network combining multi-wavelength OPS and OCS, Technical Digest CD, Conference on Optical Fiber Communication (OFC/NFOEC 2010), OTuM6, pp. 1-3, San Diego, California, March 24 (2010).
  29. Nicola Calabretta, Ibrahim Murat Soganci, Takuo Tanemura, Wenrui Wang, Oded Raz, Kazuhide Higuchi, Kevin A. Williams, Tjibbe de Vries, Yoshiaki Nakano, and Harm J. S. Dorren: 1x16 optical packet switch sub-system with a monolithically integrated InP optical switch, Technical Digest CD, Conference on Optical Fiber Communication (OFC/NFOEC 2010), OTuN6, pp. 1-3, San Diego, California, March 24 (2010).
  30. Koji Takeda, Mitsuru Takenaka, Takuo Tanemura, Masaru Zaitsu, and Yoshiaki Nakano: Single-chip all-optical packet processor based on all-optical flip-flop monolithically integrated with MZI-SOA switch, Technical Digest CD, Conference on Optical Fiber Communication (OFC/NFOEC 2010), OThS2, pp. 1-3, San Diego, California, March 26 (2010).
  31. Mitsuru Takenaka, Masafumi Yokoyama, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Shinichi Takagi: Ultrasmall arrayed waveguide grating multiplexer using InP-based photonic wire waveguide on Si wafer for III-V CMOS photonics, Technical Digest CD, Conference on Optical Fiber Communication (OFC/NFOEC 2010), OThS5, pp. 1-3, San Diego, California, March 26 (2010).
  32. Takuo Tanemura, Ibrahim Murat Soganci, Tomofumi Oyama, Takaharu Ohyama, Shinji Mino, Kevin A. Williams, Nicola Calabretta, Harm J. S. Dorren, and Yoshiaki Nakano: Optical buffer based on monolithic InP phased-array 1x16 switch with silica-PLC pitch converter and ultra-compact coiled fiber delay lines, Technical Digest (Postdeadline Papaers), Conference on Optical Fiber Communication (OFC/NFOEC 2010), PDPA5, San Diego, California, March 26 (2010).

総説・解説論文/ Review Papers

  1. 中野義昭, 瀬川浩司, 岡田至崇, 杉山正和: ポストSi高効率太陽電池技術の開発, Semiconductor FPD World, 特集「次世代に向けた革新的太陽電池技術」, vol. 28, no. 7, pp. 40-42, 5月20日 (2009).
  2. Yoshiaki Nakano: (Invited) Semiconductor integrated optoelectronic devices for photonic networking, Abstract, Erasmus Mundus Master of Science in Photonics Summer Course, Lecture 1, p. 8, Gent, Belgium, June 26 (2009).
  3. 種村拓夫, "(招待講演) InP集積光デバイス技術," エイトラムダフォーラム2009, 銀座ラフィナート, 12月11日 (2009).
  4. Yoshiaki Nakano: (Invited) Metal-organic vapor phase epitaxy technology for advanced photonic devices, Abstract, Erasmus Mundus Master of Science in Photonics Summer Course, Lecture 5, p. 8, Gent, Belgium, June 27 (2009).
  5. 中野義昭, 杉山正和, 霜垣幸浩: (招待講演) III-V族化合物高効率太陽電池の有機金属気相エピタキシャル成長技術, 第6回「次世代の太陽光発電システム」?エネルギー産業クラスターの形成を見据えた産学連携:新潟? シンポジウム予稿集, 日本学術振興会第175委員会, pp. 138-142, 朱鷺メッセ, 新潟, 7月3日 (2009).
  6. Yoshiaki Nakano: (Invited Paper) Optical flip-flops and isolators for digital photonic integrated circuits, Technical Digest CD, Topical Meeting on Integrated Photonics and Nanophotonics Research and Applications (IPNRA), Honolulu, Hawaii, July 14 (2009).
  7. 種村拓夫, 中野義昭: (招待論文) 半導体集積光デバイス・モノリシック光集積回路の現状と展望, 電子情報通信学会論文誌C, vol. J92-C, no. 8, pp. 498-505, August (2009).
  8. Takuo Tanemura, Abdullah Al Amin, and Yoshiaki Nakano: (Invited Paper) Development and field demonstration of an optical burst switching testbed with PLZT optical matrix switch, Conference Proceedings CD, International Conference on Photonics in Switching (PS 2009), FrII2-1, pp. 1-4, Pisa, Italy, September 18 (2009).
  9. Yoshiaki Nakano: (Invited Paper) Multiple wavelength optical packet switching by InP integrated photonic devices, Technical Digest CD, Asia Communications and Photonics Conference and Exhibition (ACP 2009), FAA1, Shanghai, China, November 6 (2009).
  10. Yoshiaki Nakano: (Invited) Transparent multicolor optical packet routing by InP phased-array optical switches for low power network nodes, IEEE Photonics Society Winter Topicals 2010 “Photonics for Routing and Interconnects”, TuC3.3, Majorca, Spain, January 12 (2010).
  11. Yoshiaki Nakano and Takuo Tanemura: (Invited Paper) InP photonic integrated circuits for optical switching and processing, Abstract, Optoelectronic Integrated Circuits XII (Part of SPIE Photonics West OPTO 2010), Paper 7605-04, San Francisco, CA, USA, January 27 (2010).
  12. 中野義昭, 種村拓夫: (招待講演) InP系集積光デバイス・モノリシック光集積回路の現状と展望 (Present and future of InP-based integrated photonic devices and monolithically-integrated photonic circuits), 電子情報通信学会技術研究報告(集積光デバイスと応用技術研究会), IPDA10-02, pp. 7-12, 箱根, 2月4日 (2010).
  13. 種村拓夫, 中野義昭: (特集招待論文) 情報ネットワーク省電力化に向けた光パケットスイッチング技術 (Optical packet switching technologies for low-power information network), エレクトロニクス実装学会誌, vol. 13, no. 2, pp. 122-127, 3月1日(2010).
  14. 中野義昭: (基調講演) 半導体集積光デバイス・モノリシック光集積回路の展開, 情報通信研究機構ネットワーク基盤技術シンポジウム「次世代ネットワークを支える超高周波電子/光技術」予稿集, pp. 13-14, 東京ステーションコンファレンス, 3月3日 (2010).
  15. 中野義昭: 次世代高効率太陽電池の開発と展望, 中国・日本科学最前線 ?研究の現場から 2010年版, 科学技術振興機構 中国総合研究センター, pp. 457-460, 3月15日 (2010).
  16. Ibrahim Murat Soganci, Takuo Tanemura, and Yoshiaki Nakano: (招待講演) Broadband Monolithic Photonic Phased-Array Switches for High-Throughput Optical Routing (大容量光ルータのための広帯域フェーズアレイ型モノリシック光スイッチ), 電子情報通信学会総合大会(東北大学)エレクトロニクス講演論文集1, C-4-7, p. 258, 3月17日 (2010).
  17. 中野義昭: 超高効率化合物単結晶太陽電池の現状と展望, 特定非営利活動法人サーキットネットワーク(NPO C-NET)第4回定期講演会予稿集, pp. 43-55, 3月19日 (2010).
  18. Yoshiaki Nakano, Takuo Tanemura, Hideaki Imaizumi and Hiroyuki Morikawa: (Invited Paper) Development of photonic switching node prototypes for transparent networks: Technical Digest CD, Conference on Optical Fiber Communication (OFC/NFOEC 2010), OTuN5, pp. 1-3, San Diego, California, March 21, (2010).
  19. Yoshiaki Nakano, Takuo Tanemura, and Ibrahim Murat Soganci: (Invited Paper) Monolithically integrated phased-array switch for optical packet switching and interconnection, Technical Digest CD, Conference on Optical Fiber Communication (OFC/NFOEC 2010), OMP4, pp. 1-3, San Diego, California, March 21 (2010).

シンポジウム・研究会・大会等発表/ Symposium,etc...

  1. Salah Ibrahim, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano: Experimental all-optical switching by cross-phase modulation in active multimode interferometer (能動多モード干渉計における相互位相変調を用いた実験的全光スイッチング), 第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, No. 3, p. 1235, 1p-B-16, 筑波大学, 4月1日 (2009).
  2. 武田浩司, 竹中充, 種村拓夫, 中野義昭: MZI双安定レーザによる静的全光フリップ・フロップ動作の実証 (Experimental demonstration of static all-optical flip-flop operation based ov MZI bistable laser diode), 第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, No. 3, p. 1234, 1p-B-12, 筑波大学, 4月1日 (2009).
  3. 横山正史, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一: 基板貼り合わせによるSi基板上メタルS/D III-V-OI MOSFETの動作実証 (First demonstration of metal S/D III-V-OI MOSFETs on Si using direct wafer bonding), 第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, No. 2, p. 909, 1p-V-17, 筑波大学, 4月1日 (2009).
  4. 森井清仁, 中根了昌, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一: MOVPE装置を用いたAs気相ドーピングによるGe p-n接合の電気特性 (Electrical characteristics of Ge p-n junctions formed by gas phase As doping in MOVPE system), 第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, No. 2, p. 887, 1a-T-2, 筑波大学, 4月1日 (2009).
  5. 竹中充, 杉山正和, 中野義昭, 高木信一: MOVPEによる砒素気相ドーピングのGe面方位依存性 (Ge surface orientation dependence of gas phase As doping by using MOVPE system), 第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, No. 2, p. 886, 1a-T-1, 筑波大学, 4月1日 (2009).
  6. 梁正承, ハッサネットソダーバンルー, 杉山正和, 中野義昭, 霜垣幸浩: パルスインジェクション方式で作製したAlN/GaN多重量子井戸のサブバンド間吸収特性 (Intersubband absorption property of AIN/GaN multi quantum wells growth by pulse injection method), 第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, No. 1, p. 415, 1a-ZJ-18, 筑波大学, 4月1日 (2009).
  7. 雨宮智宏, 武田浩司, 肥後昭男, 種村拓夫, 中野義昭: 非対称Rib型導波路構造を有するInGaAsP/InP偏波コンバータ (InGaAsP/InP polarization converter consisting of asymmetrie rib waveguide), 第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, No. 3, p. 1240, 2p-A-2, 筑波大学, 4月2日 (2009).
  8. 藤村拓也, 種村拓夫, 中野義昭: InGaAsP/InPビーム曲折型1xN光スイッチに関する研究 (Beam-deflecting planar 1xN optical switch on InGaAsP/InP), 第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, No. 3, p. 1238, 2a-A-6, 筑波大学, 4月2日 (2009).
  9. 寺田雄紀, 出浦桃子, 霜垣幸浩, 杉山正和, 中野義昭: MOVPEにおけるIn situ H2S処理およびAl終端処理によるGaAsの表面酸化抑制 (Suppression of surface oxidation of GaAs by in situ H2S treatment and Al passivation in MOVPE), 第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, No. 1, p. 372, 2p-J-7, 筑波大学, 4月2日 (2009).
  10. 出浦桃子, 近藤佳幸, 星井拓也, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和: 多段階成長を用いた微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsの面内均一化 (Uniform lateral growth in micro-channel selective-area MOVPE of InGaAs on Si using multi-step growth), 第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, No. 1, p. 369, 2a-J-7, 筑波大学, 4月2日 (2009).
  11. 近藤佳幸, 出浦桃子, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和: 微小領域選択MOVPEにおけるSi上InAs核発生の成長条件依存性 (Effect growth condition on InAs nucleation in micro-channel selective-area MOVPE on Si), 第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, No. 1, p. 369, 2a-J-6, 筑波大学, 4月2日 (2009).
  12. T. Tanemura, "Semiconductor integrated optical switch for future photonic networks," Sweden-Japan Workshop on Nanophotonics and Related Technologies, Stockholm, Sweden, June (2009).
  13. T. Tanemura, "Semiconductor integrated optical switch for future photonic networks," Finland-Japan Workshop on Nanophotonics and Related Technologies, Espoo, Finland, July (2009).
  14. I. M. Soganci, T. Tanemura, and Y. Nakano, "Integrated broadband scalable 1xN optical phased-array switches for WDM optical packet networks," 1st International Workshop on Advancement of Optical Signal Processing and Related Devices (AOSPRD), Vienna, September (2009).
  15. 中野義昭: シンポジウム「シリコン基板上化合物半導体デバイスの新展開」クロージングトーク (Closing talk: recent evolution in compound semiconductor devices on Si substrates), 第70回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 9p-TE-8, 富山大学, 9月9日(2009年).
  16. 竹中充, 横山正史, 杉山正和, 中野義昭, 高木信一: 直接基板接合によるSi基板上III-V CMOSトランジスタ (III-V CMOS transistors on Si by using direct wafer bonding), 第70回応用物理学会学術講演会講演予稿集, No. 0, p. 87, 9p-TE-3, 富山大学, 9月9日(2009年).
  17. 竹中充, 横山正史, 種村拓夫, 杉山正和, 中野義昭, 高木信一: MZI双安定レーザを用いた全光フリップ・フロップの動的動作実証 (Demonstration of dynamic all-optical flip-flop based on Mach-Zehnder interferometer bistable laser diode), 第70回応用物理学会学術講演会講演予稿集, No. 3, p. 1085, 9a-ZN-7, 富山大学, 9月9日(2009年).
  18. 武田浩司, 竹中充, 種村拓夫, 財津優, 中野義昭: MZI双安定レーザを用いた全光フリップ・フロップの動的動作実証 (Demonstration of dynamic all-optical flip-flop based on Mach-Zehnder interferometer bistable laser diode), 第70回応用物理学会学術講演会講演予稿集, No. 3, p. 1085, 9a-ZN-7, 富山大学, 9月9日(2009年).
  19. 竹中充, 横山正史, 種村拓夫, 杉山正和, 中野義昭, 高木信一, "III-V CMOS photonics実現に向けたInP系フォトニックワイヤーの作製," 第70回応用物理学会学術講演会講演予稿集, No.3, 9a-ZN-9富山大学, 9月9日(2009年).
  20. Ibrahim Murat Soganci, Takuo Tanemura, and Yoshiaki Nakano: High-speed 1x16 optical phased-array switch monolithically integrated on InP (光フェーズアレイを用いたInP集積, 第70回応用物理学会学術講演会講演予稿集, No. 3, p. 1085, 9a-ZN-6, 富山大学, 9月9日 (2009年).
  21. 梁正承, ソダバヌル ハッサネット, 杉山正和, 中野義昭, 霜垣幸浩: パルスインジェクション方式で作製したAlN/GaN多重量子井戸のサブバンド間遷移特性に与える成長温度の効果 (Effect of growth temperature of AlN/GaN muti quantum wells grown by pulse injection method), 第70回応用物理学会学術講演会講演予稿集, No. 1, p. 362, 10p-X-20, 富山大学, 9月10日(2009年).
  22. 出浦桃子, 近藤佳幸, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和: 微小領域選択MOVPEによるSi上InGaAs結晶最表部における双晶消滅層の形成と評価 (Formation and evaluation of twin-free layer at the topmost of InGaAs crystal on Si in micro-channel selective-area MOVPE), 第70回応用物理学会学術講演会講演予稿集, No. 1, p. 321, 11p-C-5, 富山大学, 9月11日(2009年).
  23. 近藤佳幸, 出浦桃子, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和: 微小領域選択MOVPEにおける表面P終端SiからのInAs均一核発生 (Uniform nucleation of InAs on P-terminated Si in micro-channel selective-area MOVPE), 第70回応用物理学会学術講演会講演予稿集, No. 1, p. 321, 11p-C-4, 富山大学, 9月11日(2009年).
  24. 寺田雄紀, 出浦桃子, 霜垣幸浩, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和: MOVPEにおけるin situ AlPパッシベーションによるGaAs表面準位抑制 (Suppression of GaAs surface states by in situ AlP passivation with MOVPE), 第70回応用物理学会学術講演会講演予稿集, No. 1, p. 319, 11a-C-10, 富山大学, 9月11日(2009年).
  25. 鬼塚隆祐, 杉山正和, 中野義昭: In-situ観察MOVPEによるGaAs太陽電池構造の高原料効率成長 (High material efficiency growth of GaAs solar cell structures by MOVPE using in situ observation), 第70回応用物理学会学術講演会講演予稿集, No. 1, p. 319, 11a-C-9, 富山大学, 9月11日(2009年).
  26. 杉山正和, 王云鵬, 出浦桃子, 鬼塚隆祐, 中野義昭: 高効率太陽電池用InGaAs/GaAsP歪み補償量子井戸におけるヘテロ界面急峻性 (Abruptness of hetero-interfaces in InGaAs/GaAsP strain-balanced quantum wells for high-efficiency solar cells), 第70回応用物理学会学術講演会講演予稿集, No. 1, p. 319, 11a-C-8, 富山大学, 9月11日(2009年).
  27. 横山正史, 安田哲二, 高木秀樹, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一: 基板貼り合わせによるSi基板上メタルS/D III-V-OI n-MOSFETの移動度向上とp-MOSFET動作 (Higher mobility of metal S/D III-V-OI n-MOSFET and demonstration of metal S/D III-V-OI p-MOSFET on Si using direct wafer bonding), 第70回応用物理学会学術講演会講演予稿集, No. 2, p. 803, 11p-TH-6, 富山大学, 9月11日(2009年).
  28. Hassanet Sodabanlu, Jung-Seung Yang, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: Intersubband absorption at 1.5μm range in MOVPE-grown optical waveguide with GaN/AlN MQWs core (MOVPEで成長したGaN/AlN MQWコア導波路による1.5μm帯サブバンド間吸収), 第70回応用物理学会学術講演会講演予稿集, No. 3, p. 1103, 11a-P8-23, 富山大学, 9月11日 (2009年).
  29. 杉山正和, 塩田倫也, 富田祐貴, 霜垣幸浩, 中野義昭: InGaN/GaN選択MOVPEによる可視光発光波長シフトのメカニズム, 化学工学会第41回秋季大会研究発表講演要旨集(広島大学), A104, 9月16日 (2009).
  30. 出浦桃子, 近藤佳幸, 星井拓也, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和: 微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsの原子構造と光学特性解析, 化学工学会第41回秋季大会研究発表講演要旨集(広島大学), A105, 9月16日 (2009).
  31. 寺田雄紀, 出浦桃子, 霜垣幸浩, 杉山正和, 中野義昭: AlPおよびH2Sを用いたGaAs表面のMOVPE反応炉内in situパッシベーション, 化学工学会第41回秋季大会研究発表講演要旨集(広島大学), A117, 9月16日 (2009).
  32. 近藤佳幸, 出浦桃子, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和: MOVPE微小領域選択成長におけるSi上InAs核発生の成長条件依存性, 化学工学会第41回秋季大会研究発表講演要旨集(広島大学), A120, 9月16日 (2009).
  33. 杉山正和, 安河内諭, 塩田倫也, 霜垣幸浩, 中野義昭: マルチスケール解析によるGaN MOVPE反応メカニズムの検討, 化学工学会第41回秋季大会研究発表講演要旨集(広島大学), A121, 9月16日 (2009).
  34. 鬼塚隆祐, 杉山正和, 中野義昭: In-situ表面異方性観察を用いたGaAs MOVPE成長の高原料効率化, 化学工学会第41回秋季大会研究発表講演要旨集(広島大学), A118, 9月16日 (2009).
  35. Yoshiaki Nakano: Post-silicon ultra-high efficiency solar cells based on compound semiconductor quantum structures, Proceedings of JSPS Northeastern Asian Symposium on “Renewable Energy”, pp. 1-2, Hiroshima, Japan, November 6 (2009).
  36. 中野義昭: 効率50%も照準に入った集光型太陽電池の研究開発動向, 東京大学産学連携協議会 第17回科学技術交流フォーラム「太陽光エネルギー利用の未来」?大規模太陽光発電システムに向けた技術開発の現状と展望? 資料集, pp. 29-41, 東京大学山上会館, 12月17日 (2009).
  37. 中野義昭: 太陽光エネルギー利用の未来, 太陽光エネルギー利用の未来, 東京大学産学連携協議会 第17回科学技術交流フォーラム「太陽光エネルギー利用の未来」?大規模太陽光発電システムに向けた技術開発の現状と展望? 資料集, pp. 125-133, 東京大学山上会館, 12月17日 (2009).
  38. 小山智史, 種村拓夫, イブラーヒム ムラット ソーアンジ, 大山貴晴, 美野真司, 中野義昭: フェーズアレイ1×8 集積光スイッチを用いた可変光バッファ (Variable optical buffer using integrated 1x8 optical phased-array switch), 電子情報通信学会総合大会(東北大学)通信講演論文集2, B-12-15, p. 476, 3月17日 (2010).
  39. 竹中充, 横山正史, 杉山正和, 中野義昭, 高木信一: III-V CMOS photonics技術を用いた超小型InP系AWGの作製 (InP-based ultra compact AWG by III-V CMOS photonics platform), 第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 17a-N-8, p. 05-053, 東海大学, 3月17日 (2010).
  40. ハサネット・ソダーバンル, 梁正承, 種村拓夫, 杉山正和, 霜垣幸浩, 中野義昭: MOVPE成長GaN/AlN量子井戸導波路におけるサフ?ハ?ント?間遷移吸収飽和の観測 (Observation of intersubband absorption saturation in MOVPE-grown GaN/AlN MQWs waveguide), 第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 17a-N-6, p. 05-051, 東海大学, 3月17日 (2010).
  41. 梁正承, ハサネット・ソダーバンル, 杉山正和, 中野義昭, 霜垣幸浩: Fabrication of AlN/GaN multi quantum wells at 770 ?C by metal organic vapor phase epitaxy using pulse injection method and observation of intersubband transition at 1.55 μm (ハルスインシェクション法を用いたMOVPEによるAlN/GaN多重量子井戸の770 ?Cて?の作製と1.55 μmて?のサフ?ハ?ント?間遷移観測), 第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 18p-TA-5, p. 15-168, 東海大学, 3月18日(2010).
  42. 横山正史, 山田永, 安田哲二, 高木秀樹, 卜部友二, 石井裕之, 宮田典幸, 福原昇, 秦雅彦, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一: 極薄膜III-V-OI MOSFETにおける電子移動度の向上 (Mobility enhancement of ultrathin body III-V-OI MOSFETs), 第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 18a-B-11, p. 13-262, 東海大学, 3月18日(2010).
  43. 高橋元悟, 武田浩司, 雨宮智宏, 種村拓夫, 肥後昭男, 中野義昭: TMモート導波路型アイソレータを集積化した半導体リンクレーサーの設計 (Design of semiconductor ring laser integrated with TM mode waveguide isolator), 第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 18a-N-8, p. 05-095, 東海大学, 3月18日(2010).
  44. 財津優, 武田浩司, 竹中充, 種村拓夫, 中野義昭: MZI双安定レーサ?型全光フリッフ?・フロッフ?の光クロック動作 (All-optical flip-flop operations with clock signals using MZI bistable laser diodes), 第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 18a-N-2, p. 05-089, 東海大学, 3月18日 (2010).
  45. 武田浩司, 竹中充, 種村拓夫, 財津優, 中野義昭: 干渉型全光フリッフ?・フロッフ?と全光ハ?ケットスイッチンク?への応用 (All-optical flip-flops based on interferometric bistable laser diodes and applications for all-optical packet switching), 第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 18a-N-1, p. 05-088, 東海大学, 3月18日 (2010).
  46. 出浦桃子, 近藤佳幸, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和: 微小領域選択MOVPEを用いたSi上InGaAs多段階成長の時間発展 (Time evolution of multi-step growth for InGaAs on Si using micro-channel selective-area growth), 第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 19a-TW-8, p. 15-101, 東海大学, 3月19日 (2010).
  47. 近藤佳幸, 出浦桃子, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和: 選択MOVPEによるSi上InGaAs成長の成長領域狭窄化による横方向成長促進 (Enhanced lateral overgrowth of InGaAs on Si by reduced growth area in micro-channel selective area MOVPE), 第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 19a-TW-8, p. 15-101, 東海大学, 3月19日 (2010).
  48. 鬼塚隆祐, 種村拓夫, 杉山正和, 中野義昭: GaAs太陽電池用の高原料効率で性能劣化のないMOVPE (High-material-efficiency MOVPE for GaAs solar cells without degradation of performance), 第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 19a-TW-3, p. 15-096, 東海大学, 3月19日 (2010).
  49. 杉山正和, 杉田憲一, 王云鵬, 中野義昭: 量子井戸太陽電池用InGaAs/GaAsP歪み補償量子井戸成長のin situ観察 (In situ monitoring of InGaAs/GaAsP strain-balanced quantum wells for solar cell applications), 第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 19a-TW-2, p. 15-095, 東海大学, 3月19日 (2010).
  50. 前代武瑠, 市川磨, 秦雅彦, 杉山正和, 中野義昭, 霜垣幸浩: 大型MOVPE反応炉て?の選択成長フ?ロファイルによるGaAs成長反応機構の考察 (Analysis of GaAs metal organic vapor phase epitaxy by selective area growth technique in large-scale reactor), 第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 19a-TW-1, p. 15-094, 東海大学, 3月19日 (2010).
  51. 寺田雄紀, 霜垣幸浩, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和: MOVPE in situ AlPハ?ッシヘ?ーション層の膜厚最適化によるGaAs MOSの界面準位低減 (Reduction of interface states in GaAs MOS by optimization of layer thickness of in situ AlP passivation layer with MOVPE), 第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 19a-TK-4, p. 14-118, 東海大学, 3月19日 (2010).
  52. 種村拓夫, ソーアンジ・イブラヒム・ムラット, 樋口和英, 武田浩司, 中野義昭: 1x16フェーズアレイ型半導体光パケットスイッチ (1x16 optical phased-array semiconductor packet switch), 電子情報通信学会技術研究報告(レーザ・量子エレクトロニクス研究会, EMD, CPM, OPE共催), LQE2009-36, pp. 17-20 (2009).
  53. 武田浩司, 竹中充, 種村拓夫, 財津優, 中野義昭: マッハ・ツェンダ干渉計型双安定レーザの全光フリップ・フロップ動作実証 (Experimental demonstration of all-optical flip-flop based on Mach-Zehnder interferometer bistable laser diode), 電子情報通信学会技術研究報告(レーザ・量子エレクトロニクス研究会, OPE, OCS共催), LQE2009-90, pp. 121-124 (2009).
  54. 武田浩司, 竹中充, 種村拓夫, 財津優, 中野義昭: 電子情報通信学会技術研究報告(集積光デバイスと応用技術研究会), IPDA10-P05, pp. 41-42 (2010).
  55. 高橋元悟, 雨宮智宏, 種村拓夫, 武田浩司, 肥後昭男, 中野義昭: 導波路型アイソレータを集積一体化した半導体リングレーザ (Semiconductor ring laser monolithically integrated with a waveguide optical isolator), 電子情報通信学会技術研究報告(集積光デバイスと応用技術研究会), IPDA10-P04, pp. 39-40 (2010).

その他/ Others

  1. 中野義昭: 自分でつくると見えてくる -光エレクトロニクスのものづくりにこだわった四半世紀, 東京大学電気系グローバルCOE「セキュアライフ・エレクトロニクス」特別講演会,「私のオリジナリティ -その契機・手ごたえ・そして展開」, 東京大学駒場IIキャンパス, 5月29日 (2009).
  2. Yoshiaki Nakano: Foreword: Special section on recent advances in ultra-high-speed photonic devices for next-generation optical fiber communications, IEICE Transactions on Electronics, vol. E92-C, no. 7, pp. 905-906, July (2009).
  3. パワー半導体レーザ産業技術調査専門委員会(委員長:中野義昭)編: パワー半導体レーザ産業技術調査報告, 電気学会技術報告, 第1170号, 9月25日 (2009).
  4. 中野義昭: エネルギー・環境技術国際研究拠点「SOLAR QUEST」発足, 東京大学環境報告書2009, p.35, 9月30日 (2009年).
  5. 中野義昭: 特集「エレクトロニクス実装技術の現状と展望」特集に寄せて (Preface to the special edition), エレクトロニクス実装学会誌, vol. 13, no. 1, p. 1, 1月1日 (2010年).