NAKANO and TANEMURA Laboratory, Dept. of Electrical Engineering

Publications List 2007 (2007.4.1-2008.3.31)

Journal Papers

  1. Chaiyasit Kumtornkittikul, Toshimasa Shimizu, Norio Iizuka, Nobuo Suzuki, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano: “AlN waveguide with GaN/AlN quantum wells for all-optical switch utilizing intersubband transition”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 46, no. 15, pp. L352-L355, April (2007).
  2. Jesse Darja, Melvin J. Chan, Shu-Rong Wang, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano: “Four channel ridge DFB laser array for 1.55μm CWDM systems by wide-stripe selective area MOVPE”, IEICE Transactions on Electronics, vol. E90-C, no. 5, pp. 1111-1117, May (2007) .
  3. Nong Chen, Jesse Darja, Shinichi Narata, Kenji Ikeda, Kazuhiro Nishide, and Yoshiaki Nakano: “Ridge semiconductor laser with laterally undercut etched current confinement structure”, IEICE Transactions on Electronics, vol. E90-C, no. 5, pp. 1105-1110, May (2007).
  4. Abdullah Al Amin, Kenji Sakurai, Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano: “Fabrication of monolithically integrated WDM channel selector using single step selective area MOVPE and its characterization”, IEICE Transactions on Electronics, vol. E90-C, no. 5, pp. 1124-1128, May (2007).
  5. Abdullah Al Amin, Katsuhiro Shimizu, Mitsuru Takenaka, Takuo Tanemura, Ryo Inohara, Kohsuke Nishimura, Yukio Horiuchi, Masashi Usami, Yutaka Takita, Yutaka Kai, Yasuhiko Aoki, Hiroshi Onaka, Yasunori Miyazaki, Toshiharu Miyahara, Tatsuo Hatta, Kuniaki Motoshima, Taishi Kagimoto, Tatsuro Kurobe, Akihiko Kasukawa, Hideaki Arimoto, Shinji Tsuji, Hisato Uetsuka, and Yoshiaki Nakano: “Optical burst switching router with 40-, 10-Gb/s bit-rate transparent contention resolution”, IEEE Photonics Technology Letters, vol. 19, no. 10, pp. 726-728, May 15 (2007).
  6. Mitsuru Takenaka and Yoshiaki Nakano: “InP photonic wire waveguide using InAlAs oxide cladding layer”, Optics Express, vol. 15, no. 13, pp. 8422-8427, June 25 (2007).
  7. Tomohiro Amemiya, Hiromasa Shimizu, Masafumi Yokoyama, Phan Nam Hai, Masaaki Tanaka, and Yoshiaki Nakano: “1.54μm TM-mode waveguide optical isolator based on the nonreciprocal-loss phenomenon: device design to reduce insertion loss”, Applied Optics, vol. 46, no. 23, pp. 5784-5791, August 10 (2007).
  8. Jung-Seung Yang, Hassanet Sodabanlu, Ichitaro Waki, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Yukihiro Shimogaki: “Low temperature metal organic vapor phase epitaxial growth of AlN by pulse injection method at 800 °C”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 46, no. 38, pp. L927-L929, September 28 (2007).
  9. Momoko Deura, Masakazu Sugiyama, Takayuki Nakano, Yoshiaki Nakano, and Yukihiro Shimogaki, “Kinetic analysis of surface adsorption layer in GaAs (001) metalorganic vapor phase epitaxy by in situ reflectance anisotropy spectroscopy”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 46, no. 10A, pp. 6519-6524, October 1 (2007).
  10. Toshimasa Shimizu, Chaiyasit Kumtornkittikul, Norio Iizuka, Nobuo Suzuki, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano,“Fabrication and measurement of AlN cladding AlN/GaN multiple-quantum-well waveguide for all-optical switching devices using intersubband transition”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 46, no. 10A, pp. 6639-6642, October 1 (2007).
  11. Tomonari Shioda, Yuki Tomita, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: “GaN selective area metal?organic vapor phase epitaxy: prediction of growth rate enhancement by vapor phase diffusion model”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 46, no. 43, pp. L1045-L1047, November 2 (2007).
  12. Hideki Ohe, Hiromasa Shimizu, and Yoshiaki Nakano: “InGaAlAs multiple-quantum-well optical phase modulators based on carrier depletion”, IEEE Photonics Technology Letters, vol. 19, no. 22, pp. 1816-1818, November 15 (2007) .
  13. Hiromasa Shimizu and Yoshiaki Nakano: “Monolithic integration of a waveguide optical isolator with a distributed feedback laser diode in the 1.5-μm wavelength range”, IEEE Photonics Technology Letters, vol. 19, no. 24, pp. 1973-1975, December 15 (2007).
  14. Tomohiro Amemiya, Yusuke Ogawa, Hiromasa Shimizu, Hiro Munekata, and Yoshiaki Nakano, “Semiconductor waveguide optical isolator incorporating ferromagnetic expitaxial MnSb for high temperature operation”, Applied Physics Express, vol.1, no. 2, pp. 022002-1-3, January 25, (2008).
  15. Abdullah Al Amin, Katsuhiro Shimizu, Mitsuru Takenaka, Takuo Tanemura, Ryo Inohara, Kohsuke Nishimura, Yukio Horiuchi, Masashi Usami, Yutaka Takita, Yutaka Kai, Yasuhiko Aoki, Hiroshi Onaka, Hisato Uetsuka, and Yoshiaki Nakano, “Demonstration of deflection routing with layer-2 evaluation at 40Gb/s in a three-node optical burst switching testbed”, IEEE Photonics Technology Letters, vol. 20, no. 3, pp. 178-180, February 1, (2008).
  16. Takayuki Nakano, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Yukihiro Shimogaki: “Kinetics of subsurface formation during metal-organic vapor phase epitaxy growth of InP and InGaP”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 47, no. 3, pp. 1473-1478, March (2008).
  17. Ryusuke Onitsuka, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: “Reactor-scale profile of group-V composition of InGaAsP studied by fluid dynamics simulation and in situ analysis of surface kinetics”, Journal of Crystal Growth, vol. 310, no. 12, pp. 3042-3048, March 7 (2008).

International Conferences

  1. Hideki Ohe, Hiromasa Shimizu, and Yoshiaki Nakano:“Carrier-depletion-type multiple quantum well optical phase modulators operating at the 1.55 μm wavelength range”, Proceedings of the 13th European Conference on Integrated Optics (ECIO '07), WA4, pp. 1-4, Copenhagen, Denmark, April 25-27 (2007).
  2. Toshimasa Shimizu, Chaiyasit Kumtornkittikul, Norio Iizuka, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano: “Intersubband transition of AlN/GaN quantum wells in optimized AlN-based waveguide structure”, Technical Digest, Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2007), JThD21, Baltimore, Maryland, May 6-11 (2007).
  3. Tomohiro Amemiya, Hiromasa Shimizu, Masafumi Yokoyama, Pham Nam Hai, Masaaki Tanaka, and Yoshiaki Nakano : “Single mode operation of 1.5 μm TM-mode waveguide optical isolators based on the nonreciprocal-loss phenomenon”, Technical Digest, Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2007), CTuH2, Baltimore, Maryland, May 6-11 (2007).
  4. Haizheng Song, Yunpeng Wang, Masakazu Sugiyamac, Yoshiaki Nakano, and Yukihiro Shimogaki: “Effects of Zn- and S-doping on kinetics of GaAs selective area MOVPE”, Conference Proceedings, 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM '07), PB30, pp. 319-322, Matsue, Japan, May 14-18 (2007).
  5. Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano: “Design of strain and bandgap profiles of InGaAsP fabricated by selective area metal-organic vapor phase epitaxy for polarization independent operation”, Conference Proceedings, 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM '07), TuB2-4, pp. 43-46, Matsue, Japan, May 14-18 (2007).
  6. Momoko Deura, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: “Kinetics of surface adsorption layer on GaAs and InP studied with in-situ RAS”, Extended Abstracts, 12th European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, G9, pp. 267-270, Bratislava, Slovakia, June 3-6 (2007).
  7. Masakazu Sugiyama, Momoko Deura, Haizheng Song, Yunpeng Wang, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: “Effect of atomistic surface structure on the macroscopic surface reaction rate constants for GaAs and InP”, Extended Abstracts, 12th European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, D8, pp. 151-154, Bratislava, Slovakia, June 3-6 (2007).
  8. Akio Higo, Hiroyuki Fujita, Yoshiaki Nakano, and Hiroshi Toshiyoshi : “Design and fabrication of photonic MEMS waveguide modulators”, Technical Digest, IEEE/LEOS International Conference on Optical MEMS and Nanophotonics, WD3, pp. 173-174, Hualien, Taiwan, August 12-16 (2007).
  9. Osamu Ichikawa, Noboru Fukuhara, Masahiko Hata, Takayuki Nakano, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: “Characterization of indium segregation in MOVPE-grown InGaP by Schottky barrier height measurement”, Proceedings of the 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG15)/the 13th Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE13)/the 13th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE13), 203-s03, Salt Lake City, Utah, August 12-17 (2007).
  10. Ryusuke Onitsuka, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: “Reactor-scale profile of As/P ratio studied by fluid dynamics simulation and in-situ analysis of surface kinetics”, Proceedings of the 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG15)/the 13th Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE13)/the 13th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE13), 1040, Salt Lake City, Utah, August 12-17 (2007).
  11. Yunpeng Wang, Haizheng Song, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Yukihiro Shimogaki: “Surface reaction kinetics of InP and InAs-MOVPE examined by selective area growth technique”, Proceedings of the 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG15)/the 13th Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE13)/the 13th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE13), 1106, Salt Lake City, Utah, August 12-17 (2007).
  12. Haizheng Song, Yunpeng Wang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Yukihiro Shimogaki: “Surface reaction kinetics of GaAs and GaP MOVPE examined by selective area growth technique”, Proceedings of the 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG15)/the 13th Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE13)/the 13th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE13), 1100, Salt Lake City, Utah, August 12-17 (2007).
  13. Abdullah Al Amin, Katsuhiro Shimizu, Mitsuru Takenaka, Ryo Inohara, Kohsuke Nishimura, Masashi Usami, Yutaka Takita, Yutaka Kai, Hiroshi Onaka, Toshiharu Miyahara, Yasunori Miyazaki, Tatsuo Hatta, Kuniaki Motoshima, Motoshi Ono, Yuki Kondo, Jun-ichi Kageyama, Naoki Sugimoto, Yutaka Urino, Hisato Uetsuka, and Yoshiaki Nakano: “Multi-hop transmission with wavelength conversion for collision resolution in PLZT matrix switch-based optical burst switching node prototype”, Proceedings, Conference on Photonics in Switching, WA3.3, pp. 121-122, San Francisco, California, August 19-22 (2007).
  14. Abdullah Al Amin, Mitsuru Takenaka, Takuo Tanemura, Katsuhiro Shimizu, Ryo Inohara, Kosuke Nishimura, Masashi Usami, Yutaka Takita, Yutaka Kai, Hiroshi Onaka, Hisato Uetsuka, and Yoshiaki Nakano: “Experimental validation of deflection routing in a 3-node optical burst core network with 40Gb/s edge nodes”, Proceedings, 33rd European Conference on Optical Communications (ECOC 2007), 1.6.2, vol. 1, pp. 91-92, Berlin, Germany, September 16-20 (2007).
  15. Takuya Hoshii, Momoko Deura, Masato Shichijo, Masakazu Sugiyama, Satoshi Sugahara, Mitsuru Takenaka, Yoshiaki Nakano, and Shinichi Takagi: “Formation of InGaAs-on-insulator structure by epitaxial lateral over growth from (111) Si”, Extended Abstracts of the 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials, F-1-5, pp. 132-133, Tsukuba, Ibaraki, September 19-21 (2007).
  16. Takuo Tanemura, Mitsuru Takenaka, Abdullah Al Amin, Koji Takeda, Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano: “Design and fabrication of integrated 1x5 optical phased array switch on InP”, Conference Proceedings, IEEE Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting (LEOS 2007), ThM2, pp. 780-781, Lake Buena Vista, Florida, October 21-25 (2007).
  17. Tomohiro Amemiya, Yusuke Ogawa, Hiromasa Shimizu, Hiroo Munekata, and Yoshiaki Nakano: “High temperature operation of TM-mode nonreciprocal-loss waveguide optical isolator with ferromagnetic MnSb”, Conference Proceedings, IEEE Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting (LEOS 2007), ThE4, pp. 727-728, Lake Buena Vista, Florida, October 21-25 (2007).
  18. Katsuya Watabe, Mamoru Takagi, Keita Machida, Takuo Tanemura, Hideaki Imaizumi, Yoshiaki Nakano, and Hiroyuki Morikawa: “320Gb/s multi-wavelength optical packet switching with contention resolution mechanism using PLZT switches”, Technical Digest, Conference on Optical Fiber Communication (OFC/NFOEC '08), OThA5, San Diego, California (2008).

Books

  1. Yoshiaki Nakano (Editor): “Optoelectronic Materials and Devices II”, Proceedings of SPIE, vol. 6782, part one and two, November (2007).

Review Papers

  1. (Invited Paper) Yoshiaki Nakano: “InP waveguide optical isolator for photonic integrated circuits”, Technical Digest, Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2007), CTuH1, Baltimore, Maryland, May 6-11 (2007).
  2. (Invited Paper) Yoshiaki Nakano: “New paradigm of semiconductor integrated photonic devices -digital photonics-“, Extended Abstracts of the 26th Electronic Materials Symposium, C1, pp. 49-52, Biwako, Shiga, July 4-6 (2007).
  3. (招待講演)中野義昭: “光ネットワーク用集積光デバイスの開発と光ラベルスイッチノードへの応用 (Development of integrated photonic devices for optical networking and their applications to an optical label switching node)”, 電子情報通信学会技術研究報告(集積光デバイス技術研究会), IPD07-06, pp. 27-32, 7月20日(2007).
  4. (招待論文) 中野義昭: “光ネットワークデバイスと光ラベルスイッチングノードプロトタイプの開発 ?NEDOフォトニックネットワーク技術開発プロジェクト”, O plus E, vol. 29, no. 8, pp. 784-790, 7月25日 (2007).
  5. (Invited Paper) Yoshiaki Nakano: “Waveguide optical isolators for photonic integrated circuits”, Abstracts of International Nano-Optoelectronic Workshop (iNOW '07), pp. 24-25, Beijing/Lanzhou, China, July 29-August 11 (2007).
  6. (Invited Paper) Mitsuru Takenaka, Koji Takeda, Yasuki Kanema, Maura Raburn, Toshiharu Miyahara, Hisato Uetsuka, and Yoshiaki Nakano: “MMI-BLD optical flip-flop for all-optical packet switching”, Proceedings, Conference on Photonics in Switching, SYMP2.4, pp. 13-14, San Francisco, California, August 19-22 (2007).
  7. (招待講演) 中野義昭: “ソサイエティ賞受賞記念講演:半導体集積光デバイスの先駆的・独創的研究”, 電子情報通信学会通信ソサイエティ大会(鳥取大学), エレクトロニクスソサイエティプレナリーセッション, 9月11日(2007).
  8. (招待講演) 中野義昭:“内閣総理大臣賞:フォトニックネットワーク技術の研究開発”, イノベーションジャパン2007フォーラム「産学官連携サクセスストーリー, 産学連携成功のつぼ」資料集, pp. 5-14, 東京国際フォーラム, 9月14日(2007).
  9. (Invited Paper) Norio Iizuka, Kei Kaneko, Nobuo Suzuki, Chaiyasit Kumtornkittikul, Toshimasa Shimizu, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano: “GaN-based high-speed intersubband optical switches”, Extended Abstracts of the 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials, E-7-1, pp. 980-981, Tsukuba, Ibaraki, September 19-21 (2007).
  10. (Invited Paper) Mitsuru Takenaka, Koji Takeda, Yasuki Kanema, Maura Raburn, Toshiharu Miyahara, Hisato Uetsuka, and Yoshiaki Nakano: “MMI bistable laser diode optical flip-flops for all-optical packet switching networks”, Conference Proceedings, IEEE Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting (LEOS 2007), WCC1, pp. 652-653, Lake Buena Vista, Florida, October 21-25 (2007).
  11. (Plenary Invited Paper) Yoshiaki Nakano: “Semiconductor integrated optical devices for digital photonics”, Photonics Conference, Plenary Talk III, p. 9, Jeju, Korea, November 14-16 (2007).
  12. (Invited Paper) Yoshiaki Nakano: “Development of an optical label burst switching node prototype and key devices”, Abstract, Optoelectronic Materials and Devices for Optical Communications (Part of SPIE's Asia-Pacific Optical Communications Conference, APOC'07), Paper 6783-53, Wuhan, China, November 1-5 (2007).
  13. (Invited Paper) Abdullah Al Amin, Katsuhiro Shimizu, Mitsuru Takenaka, Takuo Tanemura, Kohsuke Nishimura, Hiroshi Onaka, Tatsuo Hatta, Akihiko Kasukawa,Shinji Tsuji, Yuki Kondo, Yutaka Urino, Hisato Uetsuka, and Yoshiaki Nakano: “Bit rate transparent optical burst switching with contention resolving wavelength conversion”, Technical Digest, Conference on Optical Fiber Communication (OFC/NFOEC '08), OTuL5, San Diego, California (2008).
  14. 中野義昭: “(フェロー記念招待講演) 光ネットワークに向けた半導体集積光デバイス ?デジタルフォトニクスに向けて (Semiconductor integrated optical devices for photonic networking -research toward digital photonics)”, 電子情報通信学会技術研究報告(フォトニックネットワーク研究会), PN2007-82, pp. 47-52, 3月13-14日(2008).

Symposium,etc...

  1. 中野義昭: “(招待講演) 光ラベルバーストスイッチングノードプロトタイプとそのキーデバイス開発 ?NEDOフォトニックネットワーク技術開発プロジェクトの研究成果概要”, 日本学術振興会フォトニック情報システム弟179委員会第5回研究会資料, 東京, 2007年4月20日.
  2. Tomonari Shioda, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano : “Polarization dependence on mask patterns of tensile strained InGaAsP grown by selective area metal-organic vapor phase epitaxy”, Extended Abstracts of the 26th Electronic Materials Symposium, M2, pp. 291-292, Biwako, Shiga, July 4-6 (2007).
  3. Jung-Seung Yang, Sodabanlu Hassanet, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Yukihiro Shimogaki: “Fabrication of GaN and AlN/GaN multiple quantum wells at 800?C by MOVPE using pulse injection method”, Extended Abstracts of the 26th Electronic Materials Symposium, H6, pp. 185-186, Biwako, Shiga, July 4-6, (2007).
  4. Kazuki Tani, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Yukihiro Shimogaki: “Control of abnormal growth in selective-area MOVPE of InP by pulse injection method”, Extended Abstracts of the 26th Electronic Materials Symposium, J6, pp. 225-226, Biwako, Shiga, July 4-6, (2007).
  5. Momoko Deura, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: “Kinetic analyses on surface adsorption layer in GaAs and InP MOVPE”, Extended Abstracts of the 26th Electronic Materials Symposium, J7, pp. 227-228, Biwako, Shiga, July 4-6, (2007).
  6. Masakazu Sugiyama, Momoko Deura, Haizheng Song, Yunpeng Wang, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: “How can we correlate macroscopic surface reaction rate constants and atomistic surface structure?”, Extended Abstracts of the 26th Electronic Materials Symposium, J8, pp. 229-230, Biwako, Shiga, July 4-6 (2007).
  7. Toshimasa Shimizu, Norio Iizuka, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano: “Novel fabrication method for AlN-based intersubband transition switches by the combination of dry and wet etching”, Extended Abstracts of the 26th Electronic Materials Symposium, B10, pp. 39-40, Biwako, Shiga, July 4-6 (2007).
  8. 出浦桃子, 杉山正和, 霜垣幸浩, 中野義昭:“MOVPEにおける表面吸着層モデルに基づくGaAsおよびInPの表面反応解析 (Analyses on surface reactions for GaAs and InP based on the surface adsorption layer model of MOVPE)”, 第68回応用物理学会学術講演会(北海道工業大学), 8a-H-4, 9月4-8日(2007).
  9. 鬼塚隆祐, 塩田倫也, 杉山正和, 霜垣幸浩, 中野義昭:“InGaAsP系選択MOVPEにおける結晶組成によるマスク効果の変化 (Alloy composition dependence of the mask effect in selective-area MOVPE of InGaAsP)”, 第68回応用物理学会学術講演会(北海道工業大学), 8a-H-5, 9月4-8日(2007).
  10. 梁正承, ソダーバンル ハッサネット, 杉山正和, 中野義昭, 霜垣幸浩: “パルスインジェクション方式によるn型GaNの低温MOVPE成長 (Low temperature MOVPE growth of n-type GaN by pulse injection method)”, 第68回応用物理学会学術講演会(北海道工業大学), 8a-H-5, 9月4-8日(2007).
  11. 星井拓也, 出浦桃子, 杉山正和, 中根了昌, 菅原聡, 竹中充, 中野義昭, 高木信一: “微小孔を介したSi 基板上InGaAs 成長におけるモフォロジー向上 (Morphology improvement of InGaAs on Si with micro-dot seed region)”, 第68回応用物理学会学術講演会(北海道工業大学), 7p-E-13, 9月4-8日(2007).
  12. 出浦桃子, 杉山正和, 星井拓也, 中根了昌, 竹中充, 菅原聡, 高木信一, 中野義昭: “Si上III/V族化合物半導体の選択MOVPEにおける初期核発生過程の観察と制御 (Monitoring and control of the initial nucleation in selective area MOVPE of III/V compound semiconductor layers on Si)”, 第68回応用物理学会学術講演会(北海道工業大学), 7p-E-14, 9月4-8日(2007).
  13. 長谷川亮, 大江英輝, 荒川太郎, 清水大雅, 杉山正和, 多田邦雄, 中野義昭: “MOVPE法とMBE法によるInGaAs/InAlAs FACQW構造の作製と特性評価 (Fabrication of InGaAs/InAlAs five-layer asymmetric coupled quantum well by MOVPE and MBE and their characterization)”, 第68回応用物理学会学術講演会(北海道工業大学), 6a-N-24, 9月4-8日(2007).
  14. 小川悠介, Timo Schallenberg, 宗片比呂夫, 雨宮智宏, 清水大雅, 中野義昭: “スピンフォトニクスデバイス用MnSb薄膜の結晶性評価 (Crystallographic characterization of MnSb layers for spin-photonic devices)”, 第68回応用物理学会学術講演会(北海道工業大学), 5p-S-14, 9月4-8日(2007).
  15. 西村公佐, アルアミン アブドゥラー, 竹中充, 種村拓夫, 猪原涼, 宇佐見正士, 中野義昭: “電子制御型光バーストスイッチングノードプロトタイプの開発 (Optical burst switching node prototype based on electronic processing of optical label)”,第68回応用物理学会学術講演会(北海道工業大学), 5p-B-7, 9月4-8日(2007).
  16. 種村拓夫, 竹中充, アブドゥラー・アルアミン, 武田浩司, 塩田倫也, 杉山正和, 中野義昭:“InGaAsP/InPフェーズアレイ型1x5光スイッチの試作 (Fabrication of InGaAsP/InP 1x5 optical switch based on arrayed phased shifter)”, 第68回応用物理学会学術講演会(北海道工業大学), 4p-P3-19, 9月4-8日(2007).
  17. 清水俊匡, ソダーバンル ハッサネット, 梁正承, 杉山正和, 霜垣幸浩, 中野義昭: “AlN/GaN-MQWサブバンド間遷移導波路デバイスへのSiNxクラッドの適用 (Use of SiNx cladding layer in AlN/GaN-MQW intersubband transition waveguide devices)”, 第68回応用物理学会学術講演会(北海道工業大学), 4p-P3-6, 9月4-8日(2007).
  18. 塩田倫也, 杉山正和, 中野義昭: “InGaAsP/InP系MOVPE選択成長による能動素子利得の偏波制御 (Control of polarization-dependent gain in InGaAsP/InP active components grown by selective area MOVPE)”, 第68回応用物理学会学術講演会(北海道工業大学), 4p-P3-11, 9月4-8日(2007).
  19. 清水大雅, ワウターヴァンパリス, ルルバーツ, 中野義昭: “半導体能動導波路光アイソレータの非線形な非相反伝搬特性の評価 (Characterization of nonlinear nonreciprocal propagation in semiconductor amplifying waveguide optical isolators)”, 第68回応用物理学会学術講演会(北海道工業大学), 4p-P3-21, 9月4-8日(2007).
  20. 雨宮智宏, 小川悠介, 清水大雅, 宗片比呂夫, 中野義昭: “強磁性MnSbを用いた非相反損失による導波路型光アイソレータの高温特性 (High temperature operation of TM-mode waveguide optical isolator based on nonreciprocal loss induced by ferromagnetic MnSb)”, 第68回応用物理学会学術講演会(北海道工業大学), 4p-P3-22, 9月4-8日(2007).
  21. 中野義昭: “イントロダクトリートーク: フォトニックネットワーク技術開発プロジェクトの概要 (Introductory talk: overview of the photonic network technology development project)”, 第68回応用物理学会学術講演会(北海道工業大学), 5p-B-1, 9月5日(2007).
  22. 種村拓夫, 竹中充, アブドゥラー・アルアミン, 中野義昭: “フェーズアレイ型1xN半導体光スイッチのスケーラビリティ (Scalability of 1xN semiconductor optical switch based on arrayed phase shifters)”, 電子情報通信学会通信ソサイエティ大会(鳥取大学)講演論文集, B-12-4, p. 287, 9月10-14日 (2007).
  23. 雨宮智宏, 種村拓夫, 中野義昭: “導波路型アイソレータのための非相反偏波コンバータの提案 (Nonreciprocal polarization converter for waveguide optical isolator)”, 電子情報通信学会通信ソサイエティ大会(鳥取大学)講演論文集, C-3-69, p. 192, 9月10-14日(2007).
  24. 鬼塚隆祐, 杉山正和, 霜垣幸浩, 中野義昭: “InGaAsP系MOVPEにおけるV族吸脱着速度と固相組成”, 化学工学会第39回秋季大会 講演要旨集(北海道大学), L302, 9月13-15日(2007).
  25. 出浦桃子, 杉山正和, 霜垣幸浩, 中野義: “GaAsおよびInPのMOVPEにおける表面吸着層の速度過程比較”, 化学工学会第39回秋季大会 講演要旨集(北海道大学), L303, 9月13-15日(2007).
  26. 王雲鵬, 宋海政, 杉山正和, 中野義昭, 霜垣幸浩: “選択成長プロファイル解析によるInP, InAs-MOVPE成長の速度論”, 化学工学会第39回秋季大会 講演要旨集(北海道大学), L305, 9月13-15日(2007).
  27. 杉山正和, 出浦桃子, 宋海政, 王云鵬, 中野義昭, 霜垣幸浩: “MOVPEにおける表面反応速度と表面原子構造の関係”, 化学工学会第39回秋季大会 講演要旨集(北海道大学), L306, 9月13-15日(2007).
  28. 梁正承, ハサネットソダーバンル, 杉山正和, 中野義昭, 霜垣幸浩: “パルスインジェクション方式による高品質GaNの低温MOVPE成長”, 化学工学会第39回秋季大会 講演要旨集(北海道大学), L313, 9月13-15日(2007).
  29. 谷和樹, 出浦桃子, 杉山正和, 中野義昭, 霜垣幸浩: “パルスインジェクションを用いたInPのMOVPE選択成長における端面異常成長の抑制”, 化学工学会第39回秋季大会 講演要旨集(北海道大学), L314, 9月13-15日(2007).
  30. 中野義昭: “フォトニックネットワーク技術開発プロジェクト ?中核光デバイス群の開発と光ラベルスイッチングノードプロトタイプへの応用”, 光産業技術振興協会 産学官連携功労者内閣総理大臣賞受賞記念講演会, ホテルグランドパレス, 10月30日(2007).
  31. 中野義昭: “デジタルフォトニクス ?光エレクトロニクスの新パラダイム”, JST-SORST(物理・情報系)フォーラム2007, 新「物質・機能」の開拓と未来への展望 予稿集, pp. 21-25, 11月22日(2007).
  32. 中野義昭: “光ネットワーク時代のデバイス開発と光ラベルスイッチングノードへの応用”, 第8回ファイバーオプティクスEXPO (FOE2008) 専門技術セミナー FOE-10 フォトニックネットワークを支える最先端デバイス動向 講演資料集, pp. 55-79, 東京ビッグサイト, 1月16日-18日(2008).
  33. 種村拓夫, 武田浩司, 中野義昭: “フェーズアレイ型1×N半導体光スイッチの試作と理論検討(Theoretical and experimental study on semiconductor 1xN optical switch based on arrayed phase shifters)”, 電子情報通信学会技術研究報告(フォトニックネットワーク研究会, OPE, LQE共催), PN2007-65, pp. 157-162, 1月28日(2008).
  34. 武田浩司, 金間泰樹, 竹中充, 種村拓夫, 中野義昭: “MMI双安定レーザー型全光フリップ・フロップの偏波無依存化に向けた実験的検証(Experimental study on polarization-insensitive all-optical flip-flop based on MMI bistable laser)”, 電子情報通信学会技術研究報告(フォトニックネットワーク研究会, OPE, LQE共催), PN2007-66, pp. 163-168, 1月29日(2008).
  35. Mitsuru Takenaka, Takuya Hoshii, Momoko Deura, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Shinichi Takagi: “Micro selective area MOVPE growth of InGaAs on Si substrates for III-V-OI MOSFETs”, Proceedings of International Symposium on Secure-Life Electronics -Advanced Electronics for Quality Life and Society, pp. 463-467, Tokyo, Japan, Mar. 7 (2008).
  36. Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Takuo Tanemura, Masanori Kubota, Shinichi Takagi, Mitsuru Takenaka, Yukihiro Shimogaki, Tomonari Shioda, Ryusuke Onitsuka, Yuki Tomita, and Momoko Deura: “Crystal growth for monolithic integration of multiple functions and materials”, Proceedings of International Symposium on Secure-Life Electronics -Advanced Electronics for Quality Life and Society, pp. 421-427, Tokyo, Japan, Mar. 7 (2008).
  37. Yoshiaki Nakano, Masakazu Sugiyama, Takuo Tanemura, Akio Higo, Katsumasa Horiguchi, Salah A. E. Ibrahim, Tomohiro Amemiya, Hassanet Sodabanlu, Koji Takeda, Ling-han Li, I. Murat Soganci, Toshimasa Shimizu, Yasuki Kanema, Akira Ishizuka, and Takuya Fujimura: “Progress of semiconductor integrated photonics -research toward digital photonics”, Proceedings of International Symposium on Secure-Life Electronics -Advanced Electronics for Quality Life and Society, pp. 255-260, Tokyo, Japan, Mar. 7 (2008).
  38. Takuo Tanemura and Yoshiaki Nakano: “Scalable 1xN semiconductor optical switch for future photonic network”, Proceedings of International Symposium on Secure-Life Electronics -Advanced Electronics for Quality Life and Society, pp. 261-263, Tokyo, Japan, Mar. 7 (2008).
  39. 渡部克弥, 高木衛, 今泉英明, 種村拓夫, 中野義昭, 森川博之: “多波長光パケット交換を用いたパス/パケット混在型光ネットワークにおける交換ノードの設計と実装 (Design and implementation of switching node for multi paradigm optical networks)”, 電子情報通信学会技術研究報告(フォトニックネットワーク研究会), PN2007-75, pp. 11-16, 3月13日 (2008).
  40. 高木衛, 渡部克弥, 町田啓太, 今泉英明, 種村拓夫, 中野義昭, 森川博之: “PLZT型光スイッチを用いたフィードフォワード型入力バッファ付き320Gb/s多波長光パケット交換の実証実験 (Demonstration of 320Gb/s multi-wavelength optical packet switching with feedforward input buffer using PLZT switch)”, 電子情報通信学会技術研究報告(フォトニックネットワーク研究会), PN2007-78, pp. 25-28, 3月13日(2008).
  41. アルアミン アブドゥッラー, 種村拓夫, 中野義昭: “フィールドテストベッドにおける5x5光バーストスイッチングノードの40Gbpsイーサーレイヤ評価 (Field trial of a 5x5 optical burst switching node prototype with Ether layer characterization at 40Gbps)”, 電子情報通信学会技術研究報告(フォトニックネットワーク研究会), PN2007-79, pp. 29-33, 2008年3月13-14日(2008).
  42. 金間泰樹, 武田浩司, 竹中充, 種村拓夫, 中野義昭: “伸張歪MQWを用いたMMI-BLDの偏波無依存フリップ・フロップ動作 (Operation of polarization-insensitive MMI-BLD all optical flip-flop using tensile-strained MQW structure)”, 電子情報通信学会技術研究報告(フォトニックネットワーク研究会), PN2007-88, pp. 81-85, 3月13-14日(2008).
  43. 種村拓夫, アルアミンアブドゥラー, 中野義昭: “92kmフィールド伝送系におけるPLZT光バーストスイッチノードの実環境試験 (Field trial of PLZT optical burst-switching node over 92 km of field installed fiber)”, 電子情報通信学会総合大会(北九州学術研究都市)通信講演論文集2, B-12-3, p. 417, 3月18-21日(2008).
  44. 渡部克弥, 高木衛, 今泉英明, 種村拓夫, 中野義昭, 森川博之, “ハイブリッド型光ネットワークを実現する交換ノードの設計と実装 (Design and implementation of switching node for hybrid optical networks)”, 電子情報通信学会総合大会(北九州学術研究都市)通信講演論文集2, B-12-16, p. 430, 3月18-21日(2008).
  45. 高木衛, 渡部克弥, 町田啓太, 今泉英明, 種村拓夫, 中野義昭, 森川博之: “PLZT型光スイッチを用いた衝突回避機構付き320Gb/s多波長光パケット交換の検証 (Verification of 320Gb/s multi-wavelength optical packet switching with contention resolution mechanism using PLZT switch)”, 電子情報通信学会総合大会(北九州学術研究都市)通信講演論文集2, B-12-9, p. 423, 3月18-21日(2008).
  46. 寺田雄紀, 出浦桃子, 杉山正和, 霜垣幸浩, 中野義昭:“MOVPEにおけるin situ硫黄被覆によるGaAs(001)表面の酸化抑制 (Suppression of the oxidation of GaAs (001) surface by in situ sulfur passivation in MOVPE)”, 第55回応用物理学関係連合講演会(日本大学), 29a-M-6, 3月27-30日 (2008).
  47. 竹中充, 杉山正和, 中野義昭, 高木信一:“高性能Ge nMOSFETに向けたMOVPEによる砒素気相ドーピング (Gas phase doping of As to Ge by using MOVPE system for high-performance Ge nMOSFETs)”, 第55回応用物理学関係連合講演会(日本大学), 29a-P11-25, 3月27-30日 (2008).
  48. 杉山正和, 出浦桃子, 星井拓也, 山本剛久, 幾原雄一, 田尻寛男, 坂田修身, 木村滋, 中根了昌, 竹中充, 菅原聡, 高木信一, 中野義昭: “微少領域選択MOVPEにより作製したSi(111)面上InGaAsの構造解析 (Structural analysis of InGaAs on Si(111) surface fabricated by micro-channel selective-area MOVPE)”, 第55回応用物理学関係連合講演会(日本大学), 28p-ZT-15, 3月27-30日 (2008).
  49. 出浦桃子, 星井拓也, 杉山正和, 中根了昌, 竹中充, 菅原聡, 高木信一, 中野義昭:“微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsの横方向成長に対するGa組成の影響 (Effect of Ga content on lateral overgrowth in micro-channel selective-area MOVPE of InGaAs on Si)”, 第55回応用物理学関係連合講演会(日本大学), 28p-ZT-16, 3月27-30日 (2008).
  50. 星井拓也, 出浦桃子, 杉山正和, 中根了昌, 菅原聡, 竹中充, 中野義昭, 高木信一: “微小領域選択成長によるSi(111)基板上へのInAsピラーの形成 (Fabrication on InAs Pillars on (111)Si using Micro-Channel Selective-Area MOVPE)”, 第55回応用物理学関係連合講演会(日本大学), 28p-ZT-17, 3月27-30日 (2008).
  51. 王云鵬, 宋海政, 塩田倫也, 杉山正和, 中野義昭, 霜垣幸浩: “反応速度論に基づくシミュレーションによる選択MOVPE成長のマスク設計 (Mask design in SAG with kinetic simulation technique)”, 第55回応用物理学関係連合講演会(日本大学), 28p-ZT-19, 3月27-30日 (2008).
  52. 梁正承, ハサネット ソダバヌル, 杉山正和, 中野義昭, 霜垣幸浩: “パルスインジェクション方式を用いたGaN成長における水素パージ時間とTMGa供給時間の効果 (Effect of 1st H2 purge time and TMGa supply time in GaN growth by pulse injection method), 第55回応用物理学関係連合講演会(日本大学), 28a-B-10, 3月27-30日 (2008).
  53. 塩田倫也, 富田祐貴, 杉山正和, 霜垣幸浩, 中野義昭: “MOVPE選択成長の反応モデリング:気相拡散モデルによるGaN選択成長の解析 (Vapor-phase-diffusion-based analysis of GaN growth by selective area metal-organic vapor epitaxy), 第55回応用物理学関係連合講演会(日本大学), 28p-B-8, 3月27-30日 (2008).
  54. 富田祐貴, 塩田倫也, 杉山正和, 霜垣幸浩, 中野義昭: “選択成長InGaN量子井戸における気相拡散による発光波長シフト (Photoluminescence peak wavelength shift of selective-growth InGaN quantum well by vapor phase diffusion”, 第55回応用物理学関係連合講演会(日本大学), 28p-B-9, 3月27-30日 (2008).
  55. 長谷川亮, 雨宮智宏, 荒川太郎, 種村拓夫, 清水大雅, 杉山正和, 多田邦雄, 中野義昭: “MOVPE法によるInGaAs/InAlAs FACQWの作製と位相変調特性評価 (Fabrication on InGaAs/InAlAs FACQW by MOVPE and It’s phase Modulation Characteristics)”, 第55回応用物理学関係連合講演会(日本大学), 29a-ZG-5, 3月27-30日 (2008).
  56. イブラヒームサラハ, 杉山正和, 中野義昭: “選択成長メソッド使用によるモノリシック集積可能アクティブMMIの設計と製造 (Design and Fabrication of a Monolithically integrable Active MMI Coupler using the Selective Area Growth Method)”, 第55回応用物理学関係連合講演会(日本大学), 29a-ZG-7, 3月27-30日 (2008).
  57. 金間泰樹, 武田浩司, 竹中充, 種村拓夫, 中野義昭: “伸張歪を用いた偏波無依存MMI-BLD全光フリップフロップ動作 (Operation of Polarixation-insensitive MMI-BLD all optical flip-flop with tensile-strained MQW structure)”, 第55回応用物理学関係連合講演会(日本大学), 30a-ZF-5, 3月27-30日 (2008).
  58. 飯塚紀夫, 清水俊匡, Kumtornkittikul Chaiyasit, 杉山正和, 中野義昭: “GaN/AlN サブバンド間遷移光スイッチの吸収飽和特性改善 (Improvement in characteristic of absorption saturation in optical switches utilizing Gan/AiN-intersubband transition)”, 第55回応用物理学関係連合講演会(日本大学), 30p-ZF-4, 3月27-30日 (2008).

Others

  1. Yoshiaki Nakano: “Foreword: Special section on recent advances in integrated photonic devices”, IEICE Transactions on Electronics, vol. E90-C, no. 5, pp. 1035-1036, May (2007).
  2. 中野義昭: “APEX: Applied Physics Express -応用物理学会が創刊する本格的国際レター誌”, 第68回応用物理学会学術講演会(北海道工業大学), JJAPフレンドシップミーティング特別シンポジウム,9月6日 (2007).
  3. 中野義昭: “エレクトロニクスソサイエティ賞受賞記 (化合物半導体・光エレクトロニクス分野) 「半導体集積光デバイスの先駆的・独創的研究」”, 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティニュースレター, no. 130, pp. 3-4, 10月1日(2007).
  4. 中野義昭: “対談: 私の発言, APEX: 研究成果を世界で競う新たな舞台”, O plus E, vol. 29, no. 11, pp. 1106-1113, 10月25日 (2007).
  5. 種村拓夫: “Promising researchers, 若手研究者紹介:全光ネットワークを実現する半導体光集積回路”, 先端研ニュース, no. 65, p. 7, 1月(2008).
  6. 中野義昭: “APEX創刊で日本のプレゼンス向上を!!”, オプトロニクス, vol. 27, no. 2, pp. 75-78, 2月10日(2008).
  7. 中野義昭: “小特集「光回路実装技術の標準化動向」特集に寄せて”, エレクトロニクス実装学会誌, vol.11, no.2, p.115 (2008).
  8. 中野義昭: “新ジャーナルAPEXの最新状況 ?創刊から3ヵ月を振り返って”, APEX/JJAPフレンドシップミーティング「離陸したAPEXを大いに語る・本音の討論」, 第55回応用物理学関係連合講演会(日本大学), 3月27-30日(2008).