東京大学工学系研究科電気系工学専攻　中野・種村研究室

論文リスト2003（2003.4.1〜2004.3.31)/H15

研究論文/Journal Papers

  1. 片桐祥雅, 中野義昭, 小林郁太郎, 光岡靖幸, 篠島弘幸, 福田浩, 後藤東一郎: 超微細光回路に向けたプラズモンモード金属光導波路 (Plasmon-mode metal waveguides for ultra-dense optical integrated circuits), レーザー研究, vol. 31, no.4, pp. 249-256 (2003).
  2. Hwa Sun Park, Jong Chang Yi, Young Tae Byun, Seok Lee, Sun Ho Kim, Mitsuru Takenaka, and Yoshiaki Nakano: Investigation of the modulation efficiency of InGaAsP/InP ridge waveguide phase modulators at 1.55 μm", Japanese Journal of Applied Physics, vol. 42, part 1, no. 7 A, pp. 4378-4382 (2003).
  3. Chang-Zheng Sun, Bing Xiong, Yi Luo, and Yoshiaki Nakano: Integration of external optical feedback resistance of IC-DFB and GC-DFB lasers using a very simple experimental set-up, Chinese Physics Letters, vol. 20, no. 7, pp. 1061-1063 (2003).
  4. Nobuo Haneji, Goh Segami, Tatsuya Suzuki, Taro Arakawa, Kunio Tada, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: Electron cyclotron resonance reactive ion etching of III-V semiconductors by cyclic injection of CH4/H2/Ar and O2 with constant Ar flow, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 42, part 1, no. 6B, pp. 3958-3961 (2003).
  5. Ichitaro Waki, Chaiyasit Kumtornkittikul, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: Shortest intersubband transition wavelength (1.68 μm) achieved in AlN/GaN multiple quantum wells by metalorganic vapor phase epitaxy, Applied Physics Letters, vol. 82, no. 25, pp. 4465-4467 (2003).
  6. A. Morita, M. Sugiyama and S. Koda: Gas-Phase Flow and Diffusion Analysis of the Droplet-Train/Flow-Reactor Technique for the Mass-Accommodation Processes, J. Phys. Chem A, 107(11), pp. 1749-1759 (2003).
  7. T. Hirose, T. Omatsu, M. Sugiyama, S. Inasawa, A. Takami, M. Tateda and S. Koda: Diffraction Efficiency of Holographic Grating Formation in Au Nano Particle-Doped Sol-Gel Silica Film by Laser Irradiation, Jpn. J. Appl. Phys, 42, pp. 1288-1289 (2003).
  8. Ho-jin Oh, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano and Yukihiro Shimogaki : Factors Determining the Generation of Polycrystalline Growth over Masks in Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy: Gas-Phase Concentration Analysis, Jpn. J. Appl. Phys. 42 (4A) pp. L359-L361 (2003).
  9. Ho-jin Oh, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano and Yukihiro Shimogaki : Comparison of Organic and Hydride Group V Precursors in Terms of Surface Kineticsin Wide-Gap Selective Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Jpn. J. Appl. Phys. 42 (10A) pp. L1195-L1197 (2003).
  10. Ho-jin Oh, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano and Yukihiro Shimogaki: Surface Reaction Kinetics in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of GaAs through Analysesof Growth Rate Pro･le in Wide-Gap Selective-Area Growth, Jpn. J. Appl. Phys. 42 (10) pp. 6284-6291 (2003).
  11. S. Inasawa, M. Sugiyama and S. Koda: Size Controlled Formation of Gold Nanoparticles Using Photochemical Grwoth and Photothermal Size Reduction by 308nm Laser Pulses, Jpn. J. Appl. Phys. 42 (10) pp. 6705-6712 (2003).
  12. Ho-Jin Oh, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Yukihiro Shimogaki: Comparison of organic and hydride group V precursors in terms of surface kinetics in wide-gap selective area metalorganic vapor phase epitaxy, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 42, part 2, no. 10A, pp. L1195-L1197 (2003).
  13. Ho-Jin Oh, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Yukihiro Shimogaki: Surface reaction kinetics in metalorganic vapor phase epitaxy of GaAs through analyses of growth rate profile in wide-gap selective-area growth, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 42, part 1, no. 10, pp. 6284-6291 (2003).
  14. Seok-Hwan Jeong, Tetsuya Mizumoto, Mitsuru Takenaka, and Yoshiaki Nakano: All-optical wavelength conversion in a GaInAsP/InP optical gate loaded with a Bragg reflector, OSA Applied Optics, vol. 42, no. 33, pp. 6672-6677 (2003).
  15. Mitsuru Takenaka and Yoshiaki Nakano: Realization of all-optical flip-flop using directionally-coupled bistable laser diode, IEEE Photonics Technology Letters, vol. 16, no. 1, pp. 45-47 (2004).
  16. Ik-Tae Im, Ho-jin Oh, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano and Yukihiro Shimogaki: Fundamental kinetics determining growth rate profiles of In and GaAs in MOCVD with horizontal reactor, J. Crystal Growth, 261 (2-3) pp. 214-224 (2004).
  17. Ho-jin Oh, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano and Yukihiro Shimogaki: The effect of group V precursor on selective area MOVPE of InP/GaAs-related materials, J. Crystal Growth, 261 (2-3) pp. 419-426 (2004).　
  18. Masakazu Sugiyama, Ho-jin Oh, Yoshiaki Nakano and Yukihiro Shimogaki: Polycrystals growth on dielectric masks during InP/GaAs selective MOVPE, J. Crystal Growth, 261 (2-3) pp. 411-418 (2004).
  19. M. Sugiyama, M. Kataoka, H. Ohmura, H. Fujiwara and S. Koda: Oxidation of carbon partivles in supercritical water: rate and mechanism, Ind. Eng. Chem. Res., 43, p. 690 (2004).
  20. D. R. Hanson, M. Sugiyama, A. Morita: Revised Kinetics in the Droplet-Train Apparatus Due to a Wall Loss, J. Phys. Chem. A, 108, pp. 3739-3744 (2004).
  21. T. Hirose, T. Omatsu, M. Sugiyama, S. Inasawa and S. Koda: Au-nano-particles production by pico-second ultra-violet laser deposition in Au-ion doped PMMA film, Chem. Phys. Lett. 390, pp. 166-169 (2004).

国際会議論文/ International Conferences

  1. Mitsuru Takenaka and Yoshiaki Nakano: Proposal of an all-optical flip-flop using a cross-coupled MMI bistable laser diode, Proceedings of the 11th European Conference on Integrated Optics (ECIO '03), vol. 1, FrA1.5, pp. 335-338, Prague, Czech Republic, April 2-4, 2003.
  2. Xueliang Song, Daisuke Miyashita, Zhenrui Zhang, Naoki Futakuchi, and Yoshiaki Nakano: InGaAsP/InP compact monolithic SOA-integrated Mach-Zehnder interferometer all-optical switches by single-step selective-area MOVPE and their switching performance, Proceedings of the 11th European Conference on Integrated Optics (ECIO '03), vol. 1, ThB3.1, pp.187-190, Prague, Czech Republic, April 2-4, 2003.
  3. Weerachai Asawamethapant and Yoshiaki Nakano: Pulsed YAG-laser disordering of InGaAsP superlattices and its application to wavelength trimming of multi-lambda gain-coupled DFB laser arrays, Conference Proceedings, 15th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM '03), ThB1.4, pp. 347-350, Santa Barbara, California, May 12-16, 2003.
  4. Daisuke Miyashita, Xueliang Song, Zhenrui Zhang, Naoki Futakuchi, and Yoshiaki Nakano: Fabrication and characterization of SOA and phase shifter integrated interferometer all-optical switches by single-step GaInAsP/InP selective area MOVPE, Conference Proceedings, 15th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM '03), WB2.5, pp. 300-303, Santa Barbara, California, May 12-16, 2003.
  5. Ho-Jin Oh, Ik-Tae Im, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Yukihiro Shimogaki: Study on the surface reaction kinetics of InGaAsP related materials MOCVD through analyses of growth rate distribution in the selective area growth, Conference Proceedings, 15th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM '03), ThP1, pp. 397-400, Santa Barbara, California, May 12-16, 2003.
  6. Ichitaro Waki, Chaiyasit Kumtornkittikul, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: Achievement of shortest intersubband transition wavelength (1.68 μm) in MOVPE-grown Al(Ga)N/GaN MQW systems, Technical Digest, 5th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS), Tu-B2.5, p. 84, Nara, Japan, May 25-30, 2003.
  7. Chaiyasit Kumtornkittikul, Ichitaro Waki, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: Well and barrier width dependence of near-infrared intersubband absorption in AlN/GaN multiple quantum wells grown by MOVPE, Technical Digest, 5th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS), Mo-P1.047, p. 244, Nara, Japan, May 25-30, 2003.
  8. Weerachai Asawamethapant and Yoshiaki Nakano: Wavelength trimming of a 1.55 μm five-channel gain-coupled DFB laser array by pulse-laser disordering of a superlattice tuning layer, Technical Digest, Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2003), CThW7, Baltimore, Maryland, June 1-6, 2003.
  9. Nutchai Sroymadee and Yoshiaki Nakano: Fabrication of all-optical wavelength converter based on electro-absorption nonlinear directional coupler, Technical Digest, Topical Meeting on Integrated Photonics Research (IPR 2003), IMB2, pp. 9-11, Washington, DC, June 16-18, 2003.
  10. Ichitaro Waki, Chaiyasit Kumtornkittikul, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: Near-infrared intersubband transitions in MOVPE-grown AlN/GaN multiple quantum wells, in Extended Abstracts, the 10th International Workshop on Femtosecond Technology (FST 2003), WB-2, Makuhari, Japan, July 16-17, 2003.
  11. Eric Gouardes and Yoshiaki Nakano: Design of an optical burst switching (OBS) node prototype, Technical Digest, Topical Meeting on Photonics in Switching, PS.We.PB1, pp. 225-227, Versailles, France, September 28-October 2, 2003.
  12. Foo Cheong Yit, Mitsuru Takenaka, and Yoshiaki Nakano: Improved fabrication of directionally-coupled semiconductor optical amplifier devices and their wavelength conversion characteristics under asymmetric current injection, Technical Digest, Topical Meeting on Photonics in Switching, PS.Mo.A7, pp. 29-31, Versailles, France, September 28-October 2, 2003.
  13. Ichitaro Waki, Chaiyasit Kumtornkittikul, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: Effect of AlN/GaN superlattices in reducing dislocation density in GaN grown by MOVPE", submitted to Meeting Abstracts, XXth Electrochemical Society Annual Meeting, Abs. 949, Oland, Florida, October 12-17, 2003.
  14. Mitsuru Takenaka and Yoshiaki Nakano: Simulation of all-optical flip-flops based on bistable laser diodes with nonlinear couplers, Proceedings of the IEEE/LEOS 3rd International Conference on Numerical Simulation of Semiconductor Optoelectronic Devices (NUSOD '03), ThC4, pp. 94-95, Tokyo, October 14-16, 2003.
  15. Mitsuru Takenaka and Yoshiaki Nakano: Design and analysis of compact directionally coupled bistable laser diodes, Proceedings of the Eighth Optoelectronics and Communications Conference (OECC 2003), 14C2-6, pp. 333-334, Shanghai, China, October 13-16, 2003.
  16. Young Tae Byun, Hwa Sun Park, Sung Jin Kim, Deok Ha Woo, Jong Chang Yi, and Yoshiaki Nakano: InGaAsP/InP DH ridge waveguide phase modulator with high modulation efficiency, Proceedings of the Eighth Optoelectronics and Communications Conference (OECC 2003), P2-12, pp. 289-290, Shanghai, China, October 13-16, 2003.
  17. Jesse Darja, Shinichi Narata, Nong Chen, and Yoshiaki Nakano: Use of a device simulator in conjunction with orthogonal arrays in optimizing the design of InAlGaAs/InP MQW laser diodes, Proceedings of the IEEE/LEOS 3rd International Conference on Numerical Simulation of Semiconductor Optoelectronic Devices (NUSOD '03), MC2, pp. 25-26, Tokyo, October 14-16, 2003.
  18. Chaiyasit Kumtornkittikul, Ichitaro Waki, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: First observation of 1.55μm intersubband absorption in MOVPE-grown AlN/GaN multiple quantum wells, Conference Proceedings, IEEE Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting (LEOS 2003), ThU3, pp. 947-948, Tucson, Arizona, October 26-30, 2003.
  19. Mitsuru Takenaka and Yoshiaki Nakano: Realization of a compact directionally-coupled bistable laser diode for all-optical flip-flop application, Conference Proceedings, IEEE Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting (LEOS 2003), ThG5, pp. 828-829, Tucson, Arizona, October 26-30, 2003.
  20. Ichitaro Waki, Chaiyasit Kumtornkittikul, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: Non-uniform distribution of intersubband transition wavelength in MOVPE-grown AlN/GaN multiple quantum wells over a 2-inch sapphire substrate, Proceedings of 2003 Material Research Society Fall Meeting, Abst#Y10.54, Boston, December 1-5, 2003.
  21. J.-K. Seo, S.-K. Jeong, Tetsuya Mizumoto, Mitsuru Takenaka, and Yoshiaki Nakano: Measurement of nonlinear response of GaInAsP DFB waveguide using a pump-probe method, Technical Digest, Seventh International Symposium on Contemporary Photonics Technology (CPT 2004), F-4, pp. 127-128, Tokyo, January 14-16, 2004.
  22. Takafumi Ohtsuka and Yoshiaki Nakano: Strain effect on the band lineup of mass-transported InAsP quantum wires buried in InGaAsP/InP, Technical Digest, Seventh International Symposium on Contemporary Photonics Technology (CPT 2004), P-6, pp. 77-78, Tokyo, January 14-16, 2004.
  23. Mitsuru Takenaka and Yoshiaki Nakano: First realization of all-optical flip-flop based on bistable laser diode with active multimode interference cavity, Technical Digest, Conference on Optical Fiber Communication (OFC '04), WL4, Los Angeles, California, February 22-27, 2004.
  24. Nong Chen, Shinichi Narata, Jesse Darja, and Yoshiaki Nakano: Semiconductor lasers designed for cost effective fiber communication, Proceedings of the 8th Sino-Japanese Joint Meeting on Optical Fiber Science and Electromagnetic Theory, S3-PD1, Huangshan City, Anhui, China, March 28-30, 2004.

著書/ Books

  1. 中野義昭: (3) 光ネットワークデバイス, 動け!日本 −イノベーションで変わる生活・産業・地域(共著，動け!日本タスクフォース編), pp. 164-170, 日経BP社, 2003年4月21日 (1版1刷).
  2. 中野義昭: (6) 光情報ネットワーク戦略拠点の設置, 動け!日本 −イノベーションで変わる生活・産業・地域 (共著，動け!日本タスクフォース編), pp. 180-181, 日経BP社, 2003年4月21日 (1版1刷).

総説・解説論文/ Review Papers

  1. 中野義昭: 光電子回路実装標準化委員会活動報告, JPCA「光配線板」「光コネクタ」規格リリース報告, JPCA規格最前線セミナー2003, 東京ビッグサイト, 2003年6月4日.
  2. 中野義昭: 2003年光ファイバー通信会議(OFC2003)の概要, オプトロニクス, vol. 22, no. 6, pp. 102-104, 2003年6月10日.
  3. 中野義昭: (基調講演) 光通信デバイスの現状と将来, 日本ファインセラミクス協会(JFCA)シンポジウム, 科学技術館, 2003年6月11日.
  4. 中野義昭: (応用電子物性分科会60周年記念招待講演) 光エレクトロニクス(光信号処理)デバイス (Optoelectronic -optical signal processing- devices), 第64回応用物理学会学術講演会(福岡大学), 30p-YA-2, 2003年8月30日.
  5. 中野義昭: (招待論文) フォトニックネットワークにおけるデバイス技術の動向 −デジタル光デバイスに向けて (Trends of device technologies for photonic networking -toward digital photonic devices), 電子情報通信学会技術研究報告(フォトニックネットワーク研究会), PN2003-9, p. 1, 2003年9月2-3日.
  6. 中野義昭: (招待講演) 半導体能動光機能デバイスの研究動向, ADTECH Crosslightセミナー2003予稿集, pp. 1-9, 2003年10月17日.
  7. Yoshiaki Nakano: (基調講演) Progress of photonic networking devices, 2004 IEEE Systems Packaging Japan Workshop, Hakone, Japan, February 2-4, 2004.
  8. 中野義昭: (招待講演) ブロードバンドネットワークを支える光デバイス技術の動向, 特定非営利活動法人 高度情報通信推進協議会 設立記念フォーラム「ブロードバンド時代の到来と新しい情報通信技術」講演資料集, 早稲田大学, 2004年2月6日.
  9. 中野義昭: 光ワイヤレス通信技術の新展開(4)−光ワイヤレス通信技術調査委員会の活動から−光ワイヤレス通信用デバイス, 光産業技術振興協会 Opto News (オプトニューズ), no.1 (通巻139号), pp. 22-27, 2004年2月10日.

シンポジウム・研究会・大会等発表/ Symposium,etc...

  1. Ichitaro Waki, Chaiyasit Kumtornkittikul, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: Near-infrared intersubband absorption in Al(Ga)N/GaN multiple quantum wells grown by MOVPE, Extended Abstracts of the 22nd Electronic Materials Symposium, H8, pp. 265-266, Biwako, Shiga, July 2-4, 2003.
  2. Chaiyasit Kumtornkittikul, Ichitaro Waki, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: Experimental and theoretical study of intersubband absorption in MOVPE-grown Al(Ga)N/GaN multiple quantum wells, Extended Abstracts of the 22nd Electronic Materials Symposium, H9, pp. 267-268, Biwako, Shiga, July 2-4, 2003.
  3. Tomoyoshi Ide, Goh Segami, Nobuo Haneji, Taro Arakawa, Kunio Tada, Yukihiro Shimogaki, and Yoshiaki Nakano: Electron cyclotron resonance reactive ion etching of InGaAs/InAlAs/InP multilayer structure and GaN by cyclic injection of CH4/H2/Ar and O2 with constant Ar flow, Extended Abstracts of the 22nd Electronic Materials Symposium, B10, pp. 27-30, Biwako, Shiga, July 2-4, 2003.
  4. 井手智祥, 阿波良基, 荒川太郎, 羽路伸夫, 清水大雅, 杉山正和, 霜垣幸浩, 中野義昭, 多田邦雄: GaNのメタン・水素・アルゴン/酸素交互供給ECR反応性イオンエッチング (ECR-Reactive Ion Etching of GaN by Cyclic Injection of CH4/H2/Ar and O2), 第64回応用物理学会学術講演会(福岡大学), 30p-C-11, 2003年8月30日.
  5. チャイヤスィットカムト−ンキッティクル, 脇一太郎, 霜垣幸浩, 中野義昭: MOVPE成長AlN/GaN多重量子井戸における1.55μmサブバンド間吸収の観測 (Achievement of intersubband absorption at λ~1.55 μm in MOVPE-grown AlN/GaN multiple quantum wells), 第64回応用物理学会学術講演会(福岡大学), 30p-YH-7, 2003年8月30日.
  6. 清水大雅, 中野義昭: 非相反損失に基づくTEモード半導体導波路型光アイソレータの試作 (Fabrication of a TE mode semiconductor-waveguide-type optical isolator based on non-reciprocal loss), 第64回応用物理学会学術講演会(福岡大学), 30a-YH-7, 2003年8月30日.
  7. 呉豪振, 林益台, 杉山正和, 中野義昭. 霜垣幸浩: V族原料による選択成長領域におけるIn/Ga 組成分布の変化 (The change of In/Ga ratio in selectively grown film using organic or hydride group V precursor), 第64回応用物理学会学術講演会(福岡大学), 31a-K-1, 2003年8月31日.
  8. 呉豪振, 杉山正和, 中野義昭, 霜垣幸浩: 選択MOCVD に伴うSiO2 マスク上の核発生: 成長条件依存性 (Appearance of polycrystalline on the dielectric mask during GaAs MOCVD selective area growth: effect of growth conditions), 第64回応用物理学会学術講演会(福岡大学), 31a-K-2, 2003年8月31日.
  9. 竹中充, 中野義昭: 多モード干渉カプラ型半導体レーザによる全光フリップ・フロップの提案 (Proposal of a novel all-optical flip-flop using an MMI-coupler-based bistable laser diode), 第64回応用物理学会学術講演会(福岡大学), 31p-YK-10, 2003年8月31日.
  10. 宋学良, 張臻瑞, 曹志恒, 中野義昭: 選択成長によるモノリシック集積MZI型全光スイッチSOA部の線幅増大係数の測定 (Measurement of linewidth enhancement factor of the SOA employed in the SAG based monolithic all-optical switch), 第64回応用物理学会学術講演会(福岡大学), 31p-YK-7, 2003年8月31日.
  11. 徐在國, 鄭錫煥, 水本哲弥, 竹中充, 中野義昭: GaInAsP/InP導波路におけるポンプ光誘起吸収変化の測定 (英語), 第64回応用物理学会学術講演会(福岡大学), 31p-YK-15, 2003年8月31日.
  12. 脇一太郎, チャイヤスィットカムト−ンキッティクル, 霜垣幸浩, 中野義昭: MOVPE成長AlN/GaN多重量子井戸における近赤外サブバンド間遷移 (Near-infrared intersubband transitions in MOVPE-grown AlN/GaN MQWs), 第64回応用物理学会学術講演会(福岡大学), 1a-G-5, 2003年9月1日.
  13. イット・フーチョン, 竹中充, 宋学良, 中野義昭: InGaAsP方向性結合半導体光増幅器の改良試作とその波長変換特性 (Improved fabrication and wavelength conversion characteristics of InGaAsP directionally-coupled semiconductor optical amplifier), 第64回応用物理学会学術講演会(福岡大学), 1a-YK-7, 2003年9月1日.
  14. 中野貴之, 福島康之, 杉山正和, 中野義昭, 霜垣幸浩: MOVPE 法による化合物半導体結晶成長における表面反応メカニズムの解明 (Investigation of surface reaction mechanism during compound semiconductor crystal growth in MOVPE), 第64回応用物理学会学術講演会(福岡大学), 2a-K-8, 2003年9月2日.
  15. Ik-Tae Im, Ho-Jin Oh, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Yukihiro Shimogaki: A Study on the Thermal Effects to the Film Growth Rate During MOCVD Processes, 第64回応用物理学会学術講演会(福岡大学), 2a-K-10, 2003年9月2日.
  16. Eric Gouardes and Yoshiaki Nakano: Choices of signaling and architecture for an optical burst switching (OBS) node prototype (光バーストスイッチングノードにおけるシグナリングと構成), 電子情報通信学会技術研究報告(フォトニックネットワーク研究会), PN2003-12, pp. 11-16, 2003年9月2-3日.
  17. Chaiyasit Kumtornkittikul, 脇一太郎, 霜垣幸浩, 中野義昭: MOVPE成長AlN/GaN多重量子井戸における1.55μmのサブバンド間遷移 (Intersubband transition at lamda~1.55μm in MOVPE-grown AlN/GaN multiple quantum wells), 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会(新潟大学)講演論文集, C-4-17, p. 293, 2003年9月25日.
  18. 徐在國, 鄭錫煥, 水本哲弥, 竹中充, 中野義昭: ポンプ・プローブ法を用いたGaInAsP DFB導波路における非線形応答測定 (Measurement of nonlinear response of GaInAsP DFB waveguide using a pump-probe method), 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会(新潟大学)講演論文集, C-4-18, p. 294, 2003年9月25日.
  19. 荻野 正明、清水 了典、杉山 正和，霜垣 幸浩「ポリシリコンCVD過程の素反応解析(5)」第64回応用物理学会学術講演会，2pA7，福岡大学，2003年9月
  20. 杉山正和, 大村恒雄, 幸田清一郎：炭素粒子超臨界水酸化プロセスの流体力学シミュレーション」化学工学会第36回秋季大会,I1P08,東北大学,2003年9月.
  21. 大村恒雄, 杉山正和, 幸田清一郎：「超臨界流体の流動状態シミュレーション手法に関する検討, 化学工学会第36回秋季大会, I1P09, 東北大学, 2003年9月.
  22. 和気範明, 杉山正和, 霜垣幸浩： ULSI３次元実装用高速均一成長Al-CVDプロセスの開発, 化学工学会第36回秋季大会, U3A03, 東北大学, 2003年9月.
  23. 清水了典，荻野正明, 杉山正和, 霜垣幸浩: リンドープポリシリコンＬＰＣＶＤプロセスの解析とモデル化, 化学工学会第36回秋季大会, U3A05, 東北大学, 2003年9月.
  24. 霜垣幸浩，呉 豪振, 林 益台，杉山正和，中野義昭: 化合物半導体選択MOCVD成長を利用したマルチスケール解析, 化学工学会第36回秋季大会, U3A06, 東北大学, 2003年9月.
  25. 杉山正和，呉 豪振, 林 益台，野義昭，霜垣幸浩: 化合物半導体選択MOCVD成長における表面核発生, 化学工学会第36回秋季大会, U3A06, 東北大学, 2003年9月.
  26. 中野義昭, 竹中充, 宋学良, 清水大雅: (招待論文) 半導体能動導波路に基づくデジタルフォトニックデバイス (Invited Paper: Digital photonic devices based on semiconductor active waveguides), 電子情報通信学会技術研究報告(光エレクトロニクス研究会, LQE共催), OPE2003-213, p. 85, 2003年12月18-20日.
  27. 杉山正和, 中野義昭: 半導体光デバイス高機能化のための化合物半導体結晶成長・シミュレーション技術 (Crystal growth of compound semiconductors and simulation technology for the fabrication of high-performance semiconductor optical devices), 東京大学21世紀COE「未来社会を担うエレクトロニクスの展開」第2回ワークショップ予稿集, pp. 43-51, 2004年1月13日.
  28. 霜垣幸浩, 中野義昭: 光導波路接続に最適な光素子接続部構成に関する研究開発, ASET電子SI技術プロジェクト「光・電気複合実装技術」成果報告会講演資料集, 2004年1月23日.
  29. 竹中充, 中野義昭: 多モード干渉カプラを有する双安定性半導体レーザによる全光フリップ・フロップの実現 (Realization of a semiconductor all-optical flip-flop by an MMI-based bistable laser diode), 電子情報通信学会技術研究報告(フォトニックネットワーク研究会, LQE, OPE, EMT, OFT共催), PN2003-76, pp. 61-64, 2004年1月28-30日.
  30. 徐在國, 水本哲弥, 竹中充, 中野義昭: GaInAsP-DFB導波路の光強度依存屈折率変化とその時間応答特性の測定 (Measurement of intensity-dependent refractive index changes and temporal response of GaInAsP-DFB waveguides), 電子情報通信学会技術研究報告(フォトニックネットワーク研究会, LQE, OPE, EMT, OFT共催), PN2003-78, pp. 69-74, 2004年1月28-30日.
  31. Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki, Ichitaro Waki, Ho-Jin Oh, Xueliang Song, Abdullah Al Amin, Takafumi Ohtsuka, Takayuki Nakano, and Chaiyasit Kumtornkittikul: Advanced metalorganic vapor phase epitaxy technology for monolithic integration of photonic devices, Proceedings of International Symposium on Electronics for Future Generations, pp. 151-155, Tokyo, March 10-11, 2004.
  32. Yoshiaki Nakano, Masakazu Sugiyama, Hiromasa Shimizu, Eric Gouardes, Mitsuru Takenaka, Maura Raburn, Jesse Darja, Foocheong Yit, and Xiaoping Zhao: Semiconductor photonic networking devices ﾐresearch toward digital photonics, Proceedings of International Symposium on Electronics for Future Generations, pp. 437-442, Tokyo, March 10-11, 2004.
  33. 竹中充, モーラ・レイバン, 中野義昭: 多モード干渉カプラ型双安定半導体レーザを用いた全光フリップ・フロップ動作 (All optical flip-flop operation using a multimode interference bistable laser diode), 電子情報通信学会総合大会(東京工業大学)講演論文集, C-4-30, p. 358, 2004年3月22-25日.
  34. 新見隆男, 小林郁太郎, 中野義昭, 片桐祥雅, 光岡靖幸: 金属光導波路におけるSPP-mode伝搬損失の評価 (Evaluation of SPP-mode loss guided by metal optical waveguide), 電子情報通信学会総合大会(東京工業大学)講演論文集, SC-5-5, p. S-71, 2004年3月22-25日.
  35. 百瀬健，杉山正和，霜垣幸浩「超臨界CO2中におけるCu薄膜形成過程の可視化」第51回応用物理学関係連合講演会,28p-P5-7，東京工科大学、2004年3月.
  36. 和氣範明, 中野貴之, 呉豪振, 杉山正和, 中野義昭, 霜垣幸浩: 化合物半導体のMOVPE選択成長における異常成長制御 (Abnormal growth control in MOVPE selective area growth of compound semiconductor), 第51回応用物理学関係連合講演会(東京工科大学), 28a-YG-7, 2004年3月28日.
  37. 中野貴之, 杉山正和, 中野義昭, 霜垣幸浩: MOVPE法における結晶成長中での表面反応メカニズムの解明(2) (Investigation of surface reaction mechanism during crystal growth in MOVPE 2), 第51回応用物理学関係連合講演会(東京工科大学), 28p-YG-1, 2004年3月28日.
  38. 金子慎, 清水大雅, 中野義昭: InGaAs/InAlAs MQW-EA変調器における光誘起屈折率変化の測定 (Photo-induced refractive index change in InGaAs/InAlAs MQW-EA modulators), 第51回応用物理学関係連合講演会(東京工科大学), 30p-ZV-1, 2004年3月30日.
  39. 李寧, C. カムトーンキッティクル, 脇一太郎, 杉山正和, 霜垣幸浩, 中野義昭: 塩素系ICPエッチングによるGaN導波路の作製 (Fabrication of GaN waveguides using Cl2-based inductively coupled plasma etching)", 第51回応用物理学関係連合講演会(東京工科大学), 30a-ZV-7, 2004年3月30日.
  40. 奈良田新一, ダルジャ・ジェッシー, 陳農, 中野義昭: 電流狭窄層をもったリッジ型半導体レーザの最適設計シミュレーション (Numerical optimization of ridge waveguide semiconductor lasers with current confinement structure), 第51回応用物理学関係連合講演会(東京工科大学), 31p-ZZ-2, 2004年3月31日.
  41. 竹中充, モーラ・レイバン, 中野義昭: 方向性結合器型半導体レーザの小型化による全光フリップ・フロップの特性改善 (Improvement of characteristics of all-optical flip-flop using a compact directionally-coupled bistable laser diode), 第51回応用物理学関係連合講演会(東京工科大学), 31a-ZK-9, 2004年3月31日.
  42. 大塚節文, 中野義昭: マストランスポートInAsP量子細線のバンド構造に対するひずみの効果 (Strain effect on the band structure of mass-transported InAsP quantum wires), 第51回応用物理学関係連合講演会(東京工科大学), 31a-ZZ-2, 2004年3月31日.
  43. 百瀬 健, 杉山正和, 霜垣幸浩：超臨界CO2を用いたCu薄膜堆積：製膜過程の可視化, 化学工学会第69年会,A108,東北大学,2004年4月.
  44. 藤江誠，前田和彦，杉山正和，幸田清一郎: 超臨界水酸化における炭素粒子間の相互作用の実験と解析, 化学工学会第69年会, A313, 東北大学, 2004年4月.
  45. 東海林大輔，片岡雅彦，大村恒雄，杉山正和，板谷清司，内田　寛，幸田清一郎: 高温高圧水中の木材の反応速度論的検討, 化学工学会第69年会, A315, 東北大学, 2004年4月.
  46. 中野貴之, 杉山正和,中野義昭，霜垣幸浩: 時間変調成長によるMOVPE表面反応メカニズムの解明, 化学工学会第69年会, M306, 東北大学, 2004年4月.
  47. 和氣範明, 中野貴之, 呉 豪振，杉山正和, 中野義昭，霜垣幸浩: 化合物半導体のMOVPE選択成長における異常成長制御, 化学工学会第69年会, M306, 東北大学, 2004年4月.

その他/ Others

  1. 中野義昭： ナノプロセス技術による先中野義昭: 不況に負けるな！光ビジネスの変革に一石を, 東京大学 先端研ウォッチャー, vol. 6, p. 3, 2003年4月20日.
  2. 中野義昭： (招待講演) ナノプロセス技術による先端光情報通信デバイス, 名古屋大学電気系21世紀COEプログラム「プラズマが拓くナノ情報デバイスの世界的拠点形成に向けて」シンポジウム報告書, pp. 25-30, 2003年4月.
  3. Yoshiaki Nakano and Hiromasa Shimizu: Fabrication of a TE mode semiconductor-waveguide-type optical isolator based on non-reciprocal loss, CREST FEMD Newsletter, vol. 5, no. 3, pp. 7-8, December 2003.