東京大学工学系研究科電気系工学 中野・種村研究室

杉山正和プロフィール (English)


所属
東京大学 工学系研究科 電気系工学専攻 教授
杉山研究室HP
連絡先
本郷キャンパス 工学部3号館109 (内線22336)
研究分野
半導体エネルギーデバイス、異種材料融合光電子集積回路

略歴(1)学歴

1995年3月 東京大学工学部化学システム工学科 卒業
1997年3月 東京大学大学院工学系研究科化学システム工学専攻修士課程 修了
2000年3月  同 博士課程修了 博士(工学)

略歴(2)職歴

1997年4月 日本学術振興会特別研究員に採用(2000年3月31日まで)
2000年4月 東京大学大学院工学系研究科化学システム工学専攻 助手
2002年5月 東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻 講師
2005年4月 東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻助 助教授
2006年4月 東京大学大学院工学系研究科総合研究機構 助教授
2007年4月 東京大学大学院工学系研究科総合研究機構 准教授
2014年4月 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 准教授
2016年11月 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 教授

略歴(3)研究歴

化合物半導体(InGaAsP)ドライエッチングプロセスの反応機構解析・反応工学的モデル化(卒業論文)
化合物半導体(InGaAsP)有機金属気相成長(MOCVD)プロセスの反応機構解析・化学流体シミュレーションによる成長速度の予測(修士論文)
ULSI配線用Al有機金属気相成長プロセスの反応素過程解析・第1原理量子化学計算の結果に基づく素反応シミュレーションによる成長速度の予測(博士論文,1997〜2000)
ULSI配線用Al有機金属気相成長プロセスにおける表面モフォロジー形成機構の解析・プロセス改善の提案(1997〜2002)
金属・半導体ナノ粒子のレーザー光を用いたサイズ制御・光学素子への応用(2000〜2003)
有機物の超臨界水酸化反応の素反応解析・化学流体シミュレーション(2000〜2003)
化合物半導体(InGaAsP)有機金属気相成長(MOCVD)プロセスのマルチスケールモデリング(2002〜現在)
選択MOCVDを用いた半導体光デバイスのモノリシック集積化・選択成長プロセスのT-CAD構築(2002〜現在)
超臨界流体を媒体とする新規薄膜成長プロセスの構築,光電子デバイス・マイクロマシン等への応用(2002〜現在)

研究業績

論文リスト・特許等一覧はこちらを参照ください。

連絡先

東京大学 工学系研究科 電気系工学専攻
〒113-8656 東京都文京区本郷 7-3-1 工学部3号館109号
電話 03-5841-2336
e-mail: sugiyama[at]ee.t.u-tokyo.ac.jp [at]を@に変えてご利用ください。