田中・大矢研究室（ナノ物理・デバイスラボ）と東大物性研、SPring-8、スイスPSI、広島大学などとの共同研究による研究成果「希薄磁性半導体が磁石の性質を示す機構を解明」が、東京大学ほか各機関のプレスリリースに掲載されました。
http://www.issp.u-tokyo.ac.jp/issp_wms/DATA/OPTION/release20140226.pdf
論文は、米国物理学会論文誌 Physcal Review Letters（2014年3月12日電子版）に掲載されました。
"Electronic Excitations of Magnetic Impurity State in Diluted Magnetic Semiconductor (Ga,Mn)As"
Phys. Rev. Lett. 112, 107203/1-4 (2014).
DOI: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.112.107203