ナノ物理デバイスラボ・田中研究室のファムナムハイ博士（GCOE特任研究員）の「超巨大磁気抵抗効果」に関する研究成果が International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2009)において Young Researcher Award を受賞しました。

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ナノ物理デバイスラボ・田中研究室のファムナムハイ博士（GCOE特任研究員）の「超巨大磁気抵抗効果」に関する研究成果が International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2009)において Young Researcher Award を受賞しました。

ナノ物理デバイスラボ・田中研究室のファムナムハイ博士（GCOE特任研究員）の「超巨大磁気抵抗効果」に関する研究成果が International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2009)において Young Researcher Award を受賞しました。

論文・受賞

2009.10.13

ナノ物理デバイスラボ・田中研究室のファムナムハイ博士（GCOE特任研究員）の「超巨大磁気抵抗効果」に関する研究成果がInternational Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2009)において Young Researcher Award を受賞しました。
受賞論文　Pham Nam Hai, Shinobu Ohya, and Masaaki Tanaka "Huge Magnetoresistance Effect in Semiconductor based Nanostructures with Zinc-blende MnAs Nanoparticles" presented at 40th International Conference on Solid State Devices and Materials, Tsukuba, September 24-26, 2008.

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