MIRAIプロジェクトの高木信一教授のグループの研究成果が、International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2009)において Paper Award を受賞しました。
受賞論文　K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Harada, T. Yamamoto, S. Nakaharai, N. Hirashita, Y. Moriyama, T. Tezuka, N. Taoka, I. Watanabe, N. Hirose, N. Sugiyama and S. Takagi, “High Mobility sub-60nm Gate Length Germanium-On-Insulator Channel pMOSFETs with Metal Source/Drain and TaN MIPS Gate”, SSDM (2008) p. 32-33