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竹内研究室が開発した強誘電体NANDフラッシュメモリ及び、誤り訂正技術が日経エレクトロニクスTech-Onで紹介されました。
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竹内研究室が開発した強誘電体NANDフラッシュメモリ及び、誤り訂正技術が日経エレクトロニクスTech-Onで紹介されました。
メディア掲載
2010.05.20
竹内研究室が開発した強誘電体NANDフラッシュメモリ及び、誤り訂正技術が日経エレクトロニクスTech-Onで紹介されました。
「10Gバイト/秒で書き込めるSSDに道，東大らが1V駆動のNANDを開発」
「NANDの信頼性を10倍以上に高める誤り訂正技術，東大らが開発」
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