瀧口耕介（電気系工学専攻博士１年）、レデゥックアイン助教、田中雅明教授らによるスピントロニクスに関する研究成果がプレスリリースされ、マスコミで報道されました。

非磁性半導体/強磁性半導体ヘテロ接合における新しい電子伝導現象を発見 ～次世代のスピントロニクス・デバイスの実現に新たな道筋～ : 電気系工学専攻　
瀧口耕介(D1)、総合研究機構　レ デゥック アイン助教、物理工学専攻　小山知弘助教（研究当時）、物理工学専攻　千葉大地准教授（研究当時）、電気系工学専攻　田中雅明教授ら
https://www.t.u-tokyo.ac.jp/foe/press/setnws_201908271542346541551828.html

日本経済新聞　2019.8.27
東大、非磁性半導体/強磁性半導体ヘテロ接合における新しい電子伝導現象を発見
https://www.nikkei.com/article/DGXLRSP517303_T20C19A8000000/

日本の研究　2019.08.27
非磁性半導体/強磁性半導体ヘテロ接合における新しい電子伝導現象を発見 ～次世代のスピントロニクス・デバイスの実現に新たな道筋～
https://research-er.jp/articles/view/81786

OPTRONICS ONLINE　2019.08.28
東大ら，非磁性/強磁性半導体に新しい磁気抵抗効果を発見
http://www.optronics-media.com/news/20190828/59402/

EE Times Japan 2019.08.30
磁気抵抗効果が従来の約800倍：東京大学、新たな電子伝導現象を発見
https://eetimes.jp/ee/articles/1908/29/news029.html