ナノ物理デバイスラボ 田中・大矢研究室の瀧口耕介君（電気系工学専攻博士課程１年）、レデゥックアイン助教、田中雅明教授らは、すべて半導体でできた非磁性半導体／強磁性半導体からなる二層ヘテロ接合を作製し、新しい電子伝導現象を発見しました。磁気抵抗の大きさは従来の800倍に達し、ゲート電圧により変調できること、すなわち電流と磁性の結合を電気的手段によって制御できることを明らかにしました。本研究成果は2019年8月26日に英国科学誌 Nature Physics に掲載されました。
メディア掲載
2019.09.05
ナノ物理デバイスラボ 田中・大矢研究室の瀧口耕介君（電気系工学専攻博士課程１年）、レデゥックアイン助教、田中雅明教授らは、すべて半導体でできた非磁性半導体／強磁性半導体からなる二層ヘテロ接合を作製し、新しい電子伝導現象を発見しました。磁気抵抗の大きさは従来の800倍に達し、ゲート電圧により変調できること、すなわち電流と磁性の結合を電気的手段によって制御できることを明らかにしました。本研究成果は2019年8月26日に英国科学誌 Nature Physics に掲載されました。
＜論文＞
Kosuke Takiguchi, Le Duc Anh, Takahiro Chiba, Tomohiro Koyama, Daichi Chiba, Masaaki Tanaka
"Giant gate-controlled proximity magnetoresistance in semiconductor-based ferromagnetic/nonmagnetic bilayers"
Nature Physics, published on August 26, 2019.
DOI : 10.1038/s41567-019-0621-6
https://www.nature.com/articles/s41567-019-0621-6