EEIC 東京大学工学部 電子情報工学科・電気電子工学科
レデゥックアイン助教、大矢忍准教授、田中雅明教授(ナノ物理デバイスラボ、田中・大矢研究室)は、東京大学物性研究所の中村壮智助教、勝本信吾教授らの研究グループと共同で、新しいn型強磁性半導体(In,Fe)AsにNbを電極とする超伝導接合を作製し、磁性半導体中にスピン三重項の超伝導電流を流すことに成功しました。この研究により、磁性、半導体、超伝導を繋ぐ、新しい超伝導スピントロニクスデバイスの開発が進展することが期待できます。本研究成果は、2019年3月15日に米国科学誌 Physical Review Letters にオンライン掲載されました。
メディア掲載
2019.03.26

レデゥックアイン助教、大矢忍准教授、田中雅明教授(ナノ物理デバイスラボ、田中・大矢研究室)は、東京大学物性研究所の中村壮智助教、勝本信吾教授らの研究グループと共同で、新しいn型強磁性半導体(In,Fe)AsにNbを電極とする超伝導接合を作製し、磁性半導体中にスピン三重項の超伝導電流を流すことに成功しました。この研究により、磁性、半導体、超伝導を繋ぐ、新しい超伝導スピントロニクスデバイスの開発が進展することが期待できます。本研究成果は、2019年3月15日に米国科学誌 Physical Review Letters にオンライン掲載されました。

論文:Taketomo Nakamura, Le Duc Anh, Yoshiaki Hashimoto, Shinobu Ohya, Masaaki Tanaka, and Shingo Katsumoto, "Evidence for Spin-Triplet Electron Pairing in the Proximity-Induced Superconducting State of an Fe-Doped InAs Semiconductor",
Physical Review Letters 122, 107001 (2019).
https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.122.107001

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