ナノ物理・デバイスラボ　田中・大矢研究室の研究成果「強磁性半導体GaMnAsにおいてフェルミ準位の位置とバンド構造を解明」が、英国科学誌ネイチャー・フィジックス（2011年2月6日電子版）に掲載されたほか、さまざまなメディアで報道されました。