ナノ物理デバイスラボ・田中雅明 教授と東京工業大学・ファムナムハイ准教授らによるナノスケール・シリコンベース・スピンデバイスの研究成果がJournal of Applied Physicsに掲載され、Editor's Pick & Featured Article（エディター選定の注目論文）に選ばれました。
Duong Dinh Hiep, Masaaki Tanaka, and Pham Nam Hai
"Inverse spin-valve effect in nanoscale Si-based spin-valve devices"
J. Appl. Phys. 122, pp.223904/1-7 (2017). DOI: 10.1063/1.4994881
http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/122/22/10.1063/1.4994881

上記論文に関するニュース記事が、AIPのScilight article (sharp quick summaries illustrating the latest physics research)に掲載されました。
"Ballistic transport in spin-valve Si channel demonstrates feasibility of nanoscale spin-MOSFETs,"
Ballistic electron motion in nanoscale Si channels of a lateral spin-valve device, in addition to improved conductivity matching, advances spintronics technology towards spin-MOSFETS.
http://scitation.aip.org/content/aip/journal/sci/2017/25/10.1063/1.5018722
DOI: 10.1063/1.5018722